Modelo de Producto

IRF7755GTRPBF

Introducción

MOSFET de potencia para aplicaciones de alta eficiencia

Marca y Fabricante

International Rectifier (Infineon Technologies)

Características

MOSFET Doble Canal P, Puerta de Nivel Lógico, Cumple con RoHS, Tecnología HEXFET, Dispositivo de Montaje en Superficie

Rendimiento del Producto

Alta capacidad de corriente de 3.9A, Manejo de potencia eficiente de 1W, Baja Rds(On) para reducir pérdidas de energía, Amplio rango operativo de temperatura

Especificaciones Técnicas

20V de Voltaje de Drenaje a Fuente, 51 mOhm Máximo RDS(on), 1.2V Máxima Tensión de Umbral de Puerta, 3.9A Corriente de Drenaje Continua, 17nC Carga Máxima de Puerta, 1090pF Capacitancia de Entrada Máxima

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete 8-TSSOP, 0.173 pulgadas de ancho (4.40mm), Suministrado en Digi-Reel para cantidades flexibles

Calidad y Fiabilidad

Construido según altos estándares de fabricación para un rendimiento consistente

Ventajas del Producto

Conversión de energía de alta eficiencia, Factor de forma compacto para aplicaciones que requieren ahorro de espacio

Competitividad del Producto

Relación potencia-tamaño competitiva, Preferido para aplicaciones de control de puerta de nivel lógico

Compatibilidad

Adecuado para procesos de ensamblaje SMD estándar, Fácil de integrar con sistemas basados en microcontroladores

Certificación y Cumplimiento Estándar

Sin plomo, Cumple con RoHS

Duración y Sostenibilidad

Rendimiento duradero bajo condiciones de operación especificadas

Campos de Aplicación Real

Gestión de energía, Convertidores DC-DC, Sistemas de gestión de baterías, Equipos de computación y telecomunicaciones

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