Modelo de Producto

IRF9310PBF

Introducción

MOSFET de potencia P-Channel HEXFET

Marca y Fabricante

International Rectifier (Infineon Technologies)

Características

Tecnología HEXFET de alto rendimiento; MOSFET P-Channel eficiente; Paquete SO-8 montado en superficie para un diseño compacto.

Rendimiento del Producto

Corriente de drenaje continua alta de 20A a 25°C; Baja resistencia en conducción de 4.6 mOhm a 20A, 10V; Opera entre -55°C y 150°C.

Especificaciones Técnicas

Tecnología MOSFET de óxido metálico; Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) clasificado en 30V; Carga de puerta (Qg) de 165nC a 10V; Voltaje de umbral de puerta a fuente (Vgs(th)) de 2.4V a 100µA.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete 8-SOIC con un ancho de 3.90mm; Suministrado en empaque tipo tubo.

Calidad y Fiabilidad

Desempeño térmico y eléctrico robusto; Paquete SO-8 montado en superficie de estándar industrial.

Ventajas del Producto

Alta capacidad de corriente para aplicaciones exigentes; Eficiencia en el consumo de energía; Ideal para aplicaciones de conmutación rápida.

Competitividad del Producto

Competitivo entre los MOSFET P-Channel en su categoría.

Compatibilidad

Compatible con procedimientos de tecnología montada en superficie; Fácilmente integrable en diversos diseños de circuitos.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Producido por un fabricante certificado ISO.

Duración y Sostenibilidad

Larga vida útil operativa en condiciones especificadas; Diseñado para un rendimiento fiable y duradero.

Campos de Aplicación Real

Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS); Sistemas de gestión de potencia; Convertidores DC-DC; Aplicaciones de conmutación de carga.

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