Modelo de Producto

IRFS4010-7PPBF

Introducción

MOSFET de potencia N-Channel HEXFET de alta potencia, diseñado para aplicaciones de gestión de energía de alta eficiencia.

Marca y Fabricante

International Rectifier (Infineon Technologies)

Características

Tecnología MOSFET N-Channel, corriente continua de drenaje alta de 190A, baja resistencia de encendido de 4 mOhm, alta eficiencia de carga de puerta.

Rendimiento del Producto

Operación entre -55°C y 175°C, disipación máxima de potencia de 380W, alta tensión drenaje a fuente de 100V.

Especificaciones Técnicas

Tipo FET: N-Channel, Rds On: 4 mOhm @ 110A, 10V, Vgs(th) Máx @ Id: 4V @ 250µA, Carga de puerta (Qg) Máx @ Vgs: 230nC @ 10V, Capacidad de entrada (Ciss) Máx @ Vds: 9830pF @ 50V.

Dimensiones, Forma y Empaque

Empaquetado en tubo, forma factor TO-263-7, D2PAK (6 Pines + Tab), TO-263CB.

Calidad y Fiabilidad

Diseñado para alta fiabilidad y rendimiento robusto en entornos exigentes.

Ventajas del Producto

Excelente rendimiento térmico, capacidades de manejo de potencia mejoradas.

Competitividad del Producto

Optimizado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia.

Compatibilidad

Compatible con tecnología de montaje superficial para una integración fácil en diversos diseños de circuitos.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con los estándares de la industria para componentes electrónicos.

Duración y Sostenibilidad

Construido para soportar largos períodos operativos bajo condiciones rigurosas.

Campos de Aplicación Real

Adecuado para aplicaciones de suministro de energía, convertidores DC-DC y motores, entre otros.

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