Modelo de Producto

IRFS4127TRLPBF

Introducción

HEXFET Power MOSFET para aplicaciones de alta eficiencia

Marca y Fabricante

International Rectifier (Infineon Technologies)

Características

MOSFET de canal N, alta capacidad de disipación de potencia, bajo Rds (on) para operación eficiente, alta calificación de corriente

Rendimiento del Producto

Operación estable desde -55°C hasta 175°C, adecuado para aplicaciones de alta potencia y alta eficiencia, robusto rendimiento térmico

Especificaciones Técnicas

Tecnología de semiconductor de óxido metálico, voltaje de drenaje a fuente de 200V, corriente continua de drenaje de 72A, 22 mOhm Rds On a 44A 10V

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete D2PAK, TO-263-3, DPAK (2 pines + tab), TO-263AB, embalaje en cinta y carrete para ensamblaje automatizado

Calidad y Fiabilidad

Alta fiabilidad en condiciones extremas, fabricado por un líder en soluciones de semiconductores de potencia

Ventajas del Producto

Diseño eficiente en energía, bajo on-resistance reduce las pérdidas

Competitividad del Producto

Compite bien en mercados de alta potencia

Compatibilidad

Compatibilidad versátil con varios circuitos de alta potencia

Certificación y Cumplimiento Estándar

Sin plomo / Cumple con la normativa RoHS

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una larga vida operativa

Campos de Aplicación Real

Utilizado en una amplia gama de aplicaciones de regulación y conmutación de potencia

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