IRL3716LPBF | |
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Número de pieza | IRL3716LPBF |
Fabricante | Infineon Technologies |
Descripción | MOSFET N-CH 20V 180A TO262 |
cantidad disponible | 6588 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | 1.IRL3716LPBF.pdf2.IRL3716LPBF.pdf |
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IRL3716LPBF Price |
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Información técnica de IRL3716LPBF | |||
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Número de pieza del fabricante | IRL3716LPBF | Categoría | |
Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descripción | MOSFET N-CH 20V 180A TO262 |
Paquete / caja | TO-262 | cantidad disponible | 6588 pcs |
VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-262 |
Serie | HEXFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 4mOhm @ 90A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 210W (Tc) | Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paquete | Tube | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5090 pF @ 10 V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 79 nC @ 4.5 V | Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
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