IRL3716LPBF
Número de pieza IRL3716LPBF
Fabricante Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 20V 180A TO262
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Información técnica de IRL3716LPBF
Número de pieza del fabricante IRL3716LPBF Categoría  
Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descripción MOSFET N-CH 20V 180A TO262
Paquete / caja TO-262 cantidad disponible 6588 pcs
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo TO-262
Serie HEXFET® RDS (Max) @Id, Vgs 4mOhm @ 90A, 10V
La disipación de energía (máximo) 210W (Tc) Paquete / Cubierta TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paquete Tube Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5090 pF @ 10 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 79 nC @ 4.5 V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)
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