| IRLML0030TRPBF | |
|---|---|
| Número de pieza | IRLML0030TRPBF |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 |
| cantidad disponible | 89000 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | 1.IRLML0030TRPBF.pdf2.IRLML0030TRPBF.pdf3.IRLML0030TRPBF.pdf4.IRLML0030TRPBF.pdf5.IRLML0030TRPBF.pdf6.IRLML0030TRPBF.pdf |
| Descargar | IRLML0030TRPBF Detalles PDF |
| IRLML0030TRPBF Price |
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| Información técnica de IRLML0030TRPBF | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | IRLML0030TRPBF | Categoría | |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descripción | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 |
| Paquete / caja | Micro3™/SOT-23 | cantidad disponible | 89000 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.3V @ 25µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | Micro3™/SOT-23 |
| Serie | HEXFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 27mOhm @ 5.2A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.3W (Ta) | Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 382 pF @ 15 V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.6 nC @ 4.5 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Ta) |
| Número de producto base | IRLML0030 | IRLML0030TRPBF Detalles PDF [English] | IRLML0030TRPBF PDF - EN.pdf |
| Descargar | IRLML0030TRPBF Detalles PDF | ||
Modelo de Producto
IRLML0030TRPBF
Introducción
MOSFET de canal N de alta eficiencia
Marca y Fabricante
International Rectifier (Infineon Technologies)
Características
Canal N, Tecnología MOSFET, Montaje superficial
Rendimiento del Producto
Voltaje Drenaje a Fuente: 30V, Corriente: 5.3A, Resistencia: 27 mOhm, Carga de Puerta: 2.6nC, Capacidad de Entrada: 382pF, Voltaje de Conducción: 4.5V a 10V, Disipación de Potencia: 1.3W
Especificaciones Técnicas
Tipo de FET: Canal N, Vdss: 30V, Rds On: 27 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs(th): 2.3V @ 25A, Qg: 2.6nC @ 4.5V, Ciss: 382pF @ 15V
Dimensiones, Forma y Empaque
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Cinta y Rollo
Calidad y Fiabilidad
Alta
Ventajas del Producto
Conversión de potencia eficiente, Baja resistencia en conducción
Competitividad del Producto
Rendimiento térmico superior, Tamaño compacto
Compatibilidad
Amplio rango de voltajes de conducción
Certificación y Cumplimiento Estándar
Cumple con estándares de la industria
Duración y Sostenibilidad
Duradero, Eficiente en energía
Campos de Aplicación Real
Gestión de potencia, Aplicaciones de conmutación
Envíenos un correo electrónico: Info@Ariat-Tech.com o RFQ IRLML0030TRPBF en línea.
| IRLML0030TRPBF Acciones | Precio IRLML0030TRPBF | IRLML0030TRPBF Electrónica | |||
| Componentes IRLML0030TRPBF | Inventario IRLML0030TRPBF | IRLML0030TRPBF Digikey | |||
| Proveedor IRLML0030TRPBF | Orden IRLML0030TRPBF en línea | Consulta IRLML0030TRPBF | |||
| Imagen IRLML0030TRPBF | IRLML0030TRPBF Picture | IRLML0030TRPBF PDF | |||
| Hoja de datos IRLML0030TRPBF | Descargar la hoja de datos de IRLML0030TRPBF | Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
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