SPA11N80C3
Número de pieza SPA11N80C3
Fabricante Infineon Technologies
Descripción SPA11N80C3 Infineon Technologies
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Número de pieza del fabricante SPA11N80C3 Categoría Productos semiconductores discretos
Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descripción SPA11N80C3 Infineon Technologies
Paquete / caja TO220F cantidad disponible 9200 pcs
VGS (th) (Max) @Id 3.9V @ 680µA Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo PG-TO220-FP
Serie CoolMOS™ RDS (Max) @Id, Vgs 450 mOhm @ 7.1A, 10V
La disipación de energía (máximo) 34W (Tc) embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 85nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 800V Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
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Modelo de Producto

SPA11N80C3

Introducción

MOSFET de canal N de alto voltaje diseñado para aplicaciones de conversión de energía de alta eficiencia.

Marca y Fabricante

International Rectifier (Infineon Technologies)

Características

Tecnología CoolMOS para reducción de pérdida de energía; voltaje de ruptura alto (800V); baja resistencia de conducción (450 mOhm); paquete enchufable para montaje fácil; adecuado para operaciones a alta temperatura hasta 150°C.

Rendimiento del Producto

Puede manejar corriente de drenaje continua de hasta 11A a 25°C; soporta voltaje de fuente de compuerta hasta ±20V; presenta disipación máxima de potencia de 34W; opera eficientemente con carga de compuerta de 85nC a 10V.

Especificaciones Técnicas

Tipo FET: MOSFET de canal N; Voltaje de fuente de drenaje a fuente de drenaje (Vdss): 800V; Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C: 11A; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm a 7.1A, 10V; Carga de compuerta (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC a 10V; Capacidad de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF a 100V; Voltaje de conducción (Máx Rds On, Min Rds On): 10V.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete / Caja: TO-220-3 Full Pack; Paquete de Dispositivo del Proveedor: PG-TO220-FP; Embalaje en tubo estándar para manejo y almacenamiento seguro.

Calidad y Fiabilidad

Diseñado para cumplir con estrictos estándares de calidad y fiabilidad en entornos industriales; gestión térmica robusta para extender la vida útil.

Ventajas del Producto

Capacidad de alto voltaje y eficiencia energética mejoran el rendimiento general del sistema; diseño robusto adecuado para aplicaciones exigentes.

Competitividad del Producto

Posicionado de manera competitiva en el mercado de MOSFET de alto voltaje; ofrece ventajas de rendimiento en términos de eficiencia y gestión térmica en comparación con productos similares.

Compatibilidad

Compatible con técnicas de montaje enchufable estándar; funciona con voltajes de conducción de compuerta típicos utilizados en aplicaciones de alta potencia.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con especificaciones estándar de la industria para seguridad y rendimiento.

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una fiabilidad a largo plazo bajo condiciones de alto estrés; apoya operaciones sostenibles a través de un rendimiento eficiente en términos de energía.

Campos de Aplicación Real

Ampliamente utilizado en suministros de energía, inversores e reguladores de conmutación; adecuado para aplicaciones que requieren gestión de alto voltaje y potencia como motores industriales y convertidores solares.

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