Modelo de Producto

SPN03N60C3

Introducción

Transistor MOSFET de alta tensión para conmutación electrónica

Marca y Fabricante

International Rectifier (Infineon Technologies)

Características

Tecnología N-Channel CoolMOS, alta capacidad de bloqueo de tensión, baja resistencia en estado activo, rendimiento de conmutación rápido

Rendimiento del Producto

Disipación máxima de potencia de 1.8W a temperatura ambiente, rango de temperatura de operación de -55°C a 150°C

Especificaciones Técnicas

Transistor MOSFET de montaje en superficie, semiconductores de óxido metálico, tensión de drenaje a fuente (Vdss) de 650V, corriente de drenaje continua (Id) de 700mA a 25°C, Rds On de 1.4 Ohm a 2A, 10V, tensión umbral de puerta (Vgs(th)) máxima de 3.9V a 135A, carga de puerta (Qg) máxima de 17nC a 10V, capacitancia de entrada (Ciss) de 400pF a 25V

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete TO-261-4, dispositivo en paquete TO-261AA, embalaje de cinta y carrete (TR) del fabricante

Calidad y Fiabilidad

Construcción robusta para un rendimiento prolongado, adecuado para aplicaciones industriales

Ventajas del Producto

Alta eficiencia debido a bajas pérdidas, compatible con procesos de montaje en superficie existentes

Competitividad del Producto

Precios competitivos para aplicaciones de gestión de energía, sólido rendimiento en su clase de voltaje y corriente

Compatibilidad

Adecuado para aplicaciones de alta tensión en diversas plataformas

Certificación y Cumplimiento Estándar

No conforme a RoHS debido al contenido de plomo

Duración y Sostenibilidad

Construcción duradera para una vida útil prolongada en entornos difíciles

Campos de Aplicación Real

Fuentes de alimentación, aplicaciones de iluminación, sistemas de control de motores, inversores y convertidores

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