Modelo de Producto

IS46TR16640B-125JBLA1

Introducción

Memoria DDR3 SDRAM de 1Gbit

Marca y Fabricante

Integrated Silicon Solution Inc.

Características

Memoria DRAM de alta velocidad, interfaz de memoria paralela, soporta un alto ancho de banda de datos.

Rendimiento del Producto

Frecuencia de reloj: 800 MHz, tiempo de ciclo de escritura: 15 ns, tiempo de acceso: 20 ns.

Especificaciones Técnicas

Tamaño de memoria: 1Gbit, organización de memoria: 64M x 16, voltaje de alimentación: 1.425V ~ 1.575V.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete / Caja: 96-TFBGA, paquete del proveedor: 96-TWBGA (9x13).

Calidad y Fiabilidad

Temperatura de operación: -40°C ~ 95°C, diseñado para entornos de temperatura exigentes.

Ventajas del Producto

Optimizado para aplicaciones de computación de alta velocidad, sólida tolerancia a la temperatura.

Competitividad del Producto

Diseñado para cumplir con rigurosos estándares de rendimiento en aplicaciones industriales.

Compatibilidad

Compatible con sistemas que requieren DDR3 SDRAM con interfaz paralela.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con la normativa de conformidad DDR3 SDRAM.

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una fiabilidad a largo plazo en diversas condiciones ambientales.

Campos de Aplicación Real

Utilizado en sectores de computación, industrial y telecomunicaciones.

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