Modelo de Producto

IS61NLP51236-200TQLI

Introducción

Tarjeta de memoria de SRAM sincrónica de alta velocidad diseñada para aplicaciones de computación de alto rendimiento.

Marca y Fabricante

Integrated Silicon Solution Inc.

Características

Tipo de memoria volátil, utilizando tecnología de SRAM sincrónica. Soporta interfaz de memoria paralela. Optimizado para acceso rápido y altas frecuencias de reloj.

Rendimiento del Producto

Una frecuencia de reloj de 200 MHz permite un manejo rápido de datos. Tiempo de acceso tan bajo como 3.1 ns para recuperación y almacenamiento rápido de datos.

Especificaciones Técnicas

Tamaño de memoria: 18Mbit. Organización de memoria: 512K x 36. Rango de suministro de voltaje: 3.135V a 3.465V. Opera eficientemente dentro de un rango de temperatura de -40°C a 85°C.

Dimensiones, Forma y Empaque

Empaquetada en formato 100-LQFP, dimensiones adecuadas para montaje en superficie.

Calidad y Fiabilidad

Diseñada para mantener la integridad y el rendimiento dentro de los rangos de temperatura y voltaje especificados.

Ventajas del Producto

Tiempo de acceso rápido y alta frecuencia de reloj adecuados para aplicaciones de alto rendimiento.

Competitividad del Producto

Combinación de operación de alta velocidad con un diseño duradero y fiable, lo que la hace competitiva en los mercados de computación de alto rendimiento.

Compatibilidad

Compatible con sistemas que requieren una interfaz paralela y un suministro de voltaje dentro de 3.135V a 3.465V.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con las certificaciones estándar de la industria para componentes electrónicos, asegurando fiabilidad y seguridad en su uso.

Duración y Sostenibilidad

Diseñada para una fiabilidad a largo plazo bajo condiciones ambientales y operativas especificadas.

Campos de Aplicación Real

Ideal para su uso en aplicaciones informáticas que requieren acceso rápido a grandes cantidades de datos, como servidores y estaciones de trabajo de alto rendimiento.

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