| MT29F512G08CECBBJ4-37:B | |
|---|---|
| Número de pieza | MT29F512G08CECBBJ4-37:B |
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| Descripción | IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA |
| cantidad disponible | 3020 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | 1.MT29F512G08CECBBJ4-37:B.pdf2.MT29F512G08CECBBJ4-37:B.pdf |
| MT29F512G08CECBBJ4-37:B Price |
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| Información técnica de MT29F512G08CECBBJ4-37:B | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | MT29F512G08CECBBJ4-37:B | Categoría | Circuitos integrados (ICS) |
| Fabricante | Micron Technology | Descripción | IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA |
| Paquete / caja | 132-VBGA (12x18) | cantidad disponible | 3020 pcs |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - | Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
| Tecnología | FLASH - NAND (MLC) | Paquete del dispositivo | 132-VBGA (12x18) |
| Serie | - | Paquete / Cubierta | 132-VBGA |
| Paquete | Tray | Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria | 512Gbit | Organización de la memoria | 64G x 8 |
| Interfaz de memoria | Parallel | Formato de memoria | FLASH |
| Frecuencia de reloj | 267 MHz | Número de producto base | MT29F512G08 |
| Descargar | MT29F512G08CECBBJ4-37:B PDF - EN.pdf | ||
Modelo de Producto
MT29F512G08CECBBJ4-37:B
Introducción
Memoria FLASH NAND de Micron Technology
Marca y Fabricante
Micron Technology
Características
Memoria No Volátil, Tecnología MLC (Célula de Múltiples Niveles), Interfaz de Memoria Paralela
Rendimiento del Producto
Alta Frecuencia de Reloj de 267 MHz, Soporta una Variedad de Suministros de Voltaje desde 2.7V hasta 3.6V, Rango de Temperatura de Operación de 0°C a 70°C
Especificaciones Técnicas
Tipo de Memoria: FLASH - NAND (MLC), Tamaño de Memoria: 512Gbit, Organización de Memoria: 64G x 8
Dimensiones, Forma y Empaque
Montaje Superficial, Paquete 132-VBGA, Dimensiones del Paquete VBGA: 12x18
Calidad y Fiabilidad
Obsoleto
Ventajas del Producto
Gran Tamaño de Memoria de 512Gbit
Competitividad del Producto
Interfaz Paralela de Alta Velocidad, Alta Densidad de Almacenamiento
Compatibilidad
Compatible con Dispositivos que Soportan Interfaz Paralela y Rango de Voltaje de 2.7V a 3.6V
Certificación y Cumplimiento Estándar
Cumple con Certificaciones Estándar de la Industria para Componentes Electrónicos
Duración y Sostenibilidad
Diseñado para Retención de Datos a Largo Plazo y Confiabilidad
Campos de Aplicación Real
Adecuado para una Variedad de Aplicaciones que Requieren Almacenamiento de Datos de Alta Densidad y Alta Velocidad
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| MT29F512G08CECBBJ4-37:B Acciones | Precio MT29F512G08CECBBJ4-37:B | MT29F512G08CECBBJ4-37:B Electrónica |
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