Modelo de Producto

MT46V128M8TG-6T

Introducción

Circuito integrado de memoria (DDR SDRAM)

Marca y Fabricante

Micron Technology

Características

DDR SDRAM (Memoria dinámica síncrona de acceso aleatorio de doble tasa de datos) - Arquitectura paralela - Estrobe de datos diferencial

Rendimiento del Producto

Densidad de 8 Gbit - Tasas de datos de 6 ns - Corrección de errores disponible

Especificaciones Técnicas

Fuente de alimentación de 3.3V - Latencia CL3 - Estrobe de datos bidireccional

Dimensiones, Forma y Empaque

TSOP (Paquete de pequeño contorno delgado) - Forma rectangular - Montaje en superficie

Calidad y Fiabilidad

Soporte del fabricante a largo plazo - Cumple con estándares JEDEC - Protocolos de prueba rigurosos

Ventajas del Producto

Rendimiento de alta capacidad de ancho de banda - Baja latencia

Competitividad del Producto

Fuerte posición en el mercado de DDR SDRAM - Reputación de Micron por productos de memoria de calidad

Compatibilidad

Compatible con muchos microprocesadores de alta velocidad - Se adhiere a los estándares de memoria DDR SDRAM

Certificación y Cumplimiento Estándar

Estándar JEDEC - Cumple con RoHS

Duración y Sostenibilidad

Vida operativa adecuada a las necesidades típicas del sistema - Materiales ecológicos que reducen el impacto ambiental

Campos de Aplicación Real

Ordenadores personales - Servidores y estaciones de trabajo - Dispositivos de comunicación

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