Modelo de Producto

MT47H512M4THN-3:E

Introducción

DRAM de alta velocidad DDR2

Marca y Fabricante

Micron Technology

Características

Solución de memoria de alta densidad, baja latencia y ancho de banda de datos elevado, arquitectura de doble tasa de datos, estroboscopio de datos bidireccional

Rendimiento del Producto

Alto rendimiento de transferencia de datos, soporta hasta cuatro estroboscopios de datos por ciclo de reloj, entradas de reloj diferenciales (CK y CK#), terminación en el chip

Especificaciones Técnicas

Configuración de 512 Meg x 4, suministro de energía estándar JEDEC de 1.8V +/- 0.1V, latencia CAS (CL) soportada: 3, 4 y 5

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete FBGA, componente libre de plomo

Calidad y Fiabilidad

Rango de rendimiento de temperatura extendido, funcionalidad de prueba integrada

Ventajas del Producto

Integración de alta densidad adecuada para sistemas informáticos avanzados, rendimiento optimizado para aplicaciones de alto nivel

Competitividad del Producto

Operación de alta velocidad competitiva en la categoría de DDR2 SDRAM, características térmicas y operativas robustas

Compatibilidad

Compatible con ranuras estándar de DDR2 SDRAM, interfaz y señalización conforme a JEDEC

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con la norma JEDEC, cumple con los requisitos de RoHS y productos verdes

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una larga vida operativa, materiales adecuados para prácticas de gestión sostenible

Campos de Aplicación Real

Adecuado para bancos de memoria de servidores, óptimo para computación de alto rendimiento, utilizado en equipos de telecomunicaciones, ideal para sistemas de red avanzados

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