MT48H4M16LFB4-8 | |
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Número de pieza | MT48H4M16LFB4-8 |
Fabricante | Micron Technology Inc. |
Descripción | IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA |
cantidad disponible | 2907 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | 1.MT48H4M16LFB4-8.pdf2.MT48H4M16LFB4-8.pdf |
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Información técnica de MT48H4M16LFB4-8 | |||
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Número de pieza del fabricante | MT48H4M16LFB4-8 | Categoría | Circuitos integrados (ICS) |
Fabricante | Micron Technology | Descripción | IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA |
Paquete / caja | 54-VFBGA (8x8) | cantidad disponible | 2907 pcs |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 15ns | Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPSDR | Paquete del dispositivo | 54-VFBGA (8x8) |
Serie | - | Paquete / Cubierta | 54-VFBGA |
Paquete | Tray | Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Tipo de memoria | Volatile |
Tamaño de la memoria | 64Mbit | Organización de la memoria | 4M x 16 |
Interfaz de memoria | Parallel | Formato de memoria | DRAM |
Frecuencia de reloj | 125 MHz | Número de producto base | MT48H4M16 |
Tiempo de acceso | 6 ns | MT48H4M16LFB4-8 Detalles PDF [English] | MT48H4M16LFB4-8 PDF - EN.pdf |
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MT48H4M16LFB4-8
Tarjeta IC de memoria para aplicaciones electrónicas.
Micron Technology
Tipo de memoria volátil, SDRAM con tecnología LPSDRAM móvil implementada, interfaz de memoria paralela para conectividad.
Opera a una frecuencia de reloj de 125 MHz, tiempo de acceso de 6 ns para recuperación rápida de datos, tiempo de ciclo de escritura de 15 ns para palabra o página.
Tamaño de memoria de 64Mbit, organizado como 4M x 16 bits.
Paquete de superficie 54-VFBGA, dimensiones adherentes a un paquete 54-VFBGA (8x8).
Rango de temperatura operativa de 0°C a 70°C, diseñado para un rendimiento consistente dentro del rango de temperatura mencionado.
Rápidos tiempos de acceso y escritura para su clase, específicamente diseñado para aplicaciones móviles y de baja potencia.
Producto de nicho en la categoría SDRAM LPSDRAM.
Compatible con dispositivos que requieren DRAM paralela con las especificaciones mencionadas.
Cumplimiento con las especificaciones estándar de la industria (estándares de cumplimiento exactos no listados).
Diseño duradero, aunque el estado del producto es obsoleto.
Utilizado en varios dispositivos electrónicos que coincidían con sus especificaciones antes de la obsolescencia.
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