MT49H16M18CBM-25:B | |
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Número de pieza | MT49H16M18CBM-25:B |
Fabricante | Micron Technology Inc. |
Descripción | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA |
cantidad disponible | 3160 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | 1.MT49H16M18CBM-25:B.pdf2.MT49H16M18CBM-25:B.pdf3.MT49H16M18CBM-25:B.pdf4.MT49H16M18CBM-25:B.pdf |
MT49H16M18CBM-25:B Price |
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Información técnica de MT49H16M18CBM-25:B | |||
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Número de pieza del fabricante | MT49H16M18CBM-25:B | Categoría | Circuitos integrados (ICS) |
Fabricante | Micron Technology | Descripción | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA |
Paquete / caja | 144-µBGA (18.5x11) | cantidad disponible | 3160 pcs |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - | Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Tecnología | DRAM | Paquete del dispositivo | 144-µBGA (18.5x11) |
Serie | - | Paquete / Cubierta | 144-TFBGA |
Paquete | Bulk | Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Tipo de memoria | Volatile |
Tamaño de la memoria | 288Mbit | Organización de la memoria | 16M x 18 |
Interfaz de memoria | Parallel | Formato de memoria | DRAM |
Frecuencia de reloj | 400 MHz | Número de producto base | MT49H16M18 |
Tiempo de acceso | 20 ns | ||
Descargar | MT49H16M18CBM-25:B PDF - EN.pdf |
MT49H16M18CBM-25:B
Módulo de memoria DRAM de alta capacidad diseñado para aplicaciones de alta velocidad
Micron Technology
Módulo de memoria de alta densidad de 288Mbit, organización de memoria 16M x 18 para una gestión eficiente de datos, interfaz de memoria paralela para una transferencia de datos rápida
Soporta frecuencias de reloj de hasta 400 MHz para un funcionamiento de alta velocidad, tiempo de acceso rápido de 20 ns para mejorar la capacidad de respuesta del sistema, diseñado para operar dentro de un amplio rango de temperaturas de 0°C a 95°C
Tecnología DRAM de tipo volátil, tamaño de memoria de 288Mbit, interfaz de memoria paralela
Paquete de montaje en superficie 144-TFBGA, dimensión del paquete 144-µBGA es 18.5x11 mm
Diseño robusto capaz de soportar condiciones operativas industriales, la obsolescencia indica tecnología madura y estable
Gran tamaño de memoria para aplicaciones complejas, acceso a datos relativamente rápido para tecnología DRAM
Diseñado para sistemas que requieren memoria de alta velocidad y alta densidad
El diseño de montaje en superficie es compatible con los procesos de fabricación de PCB modernos
Cumplimiento de Micron Technology con las especificaciones estándar de la industria para DRAM
Aunque listado como obsoleto, el producto aún puede ser fiable para sistemas heredados
Ideal para computación de alta velocidad, telecomunicaciones y aplicaciones de servidores
MT49H16M18CBM-25:B Acciones | Precio MT49H16M18CBM-25:B | MT49H16M18CBM-25:B Electrónica |
Componentes MT49H16M18CBM-25:B | Inventario MT49H16M18CBM-25:B | MT49H16M18CBM-25:B Digikey |
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