MT49H32M9SJ-25:B | |
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Número de pieza | MT49H32M9SJ-25:B |
Fabricante | Micron Technology Inc. |
Descripción | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA |
cantidad disponible | 2523 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | 1.MT49H32M9SJ-25:B.pdf2.MT49H32M9SJ-25:B.pdf3.MT49H32M9SJ-25:B.pdf4.MT49H32M9SJ-25:B.pdf5.MT49H32M9SJ-25:B.pdf |
MT49H32M9SJ-25:B Price |
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Información técnica de MT49H32M9SJ-25:B | |||
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Número de pieza del fabricante | MT49H32M9SJ-25:B | Categoría | Circuitos integrados (ICS) |
Fabricante | Micron Technology | Descripción | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA |
Paquete / caja | 144-FBGA (18.5x11) | cantidad disponible | 2523 pcs |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - | Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Tecnología | DRAM | Paquete del dispositivo | 144-FBGA (18.5x11) |
Serie | - | Paquete / Cubierta | 144-TFBGA |
Paquete | Tray | Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Tipo de memoria | Volatile |
Tamaño de la memoria | 288Mbit | Organización de la memoria | 32M x 9 |
Interfaz de memoria | Parallel | Formato de memoria | DRAM |
Frecuencia de reloj | 400 MHz | Número de producto base | MT49H32M9 |
Tiempo de acceso | 20 ns | ||
Descargar | MT49H32M9SJ-25:B PDF - EN.pdf |
MT49H32M9SJ-25:B
DRAM volicional de Micron con un tamaño de 288Mbit diseñado para aplicaciones de alto rendimiento.
Micron Technology
Almacenamiento de memoria de alta densidad, interfaz de memoria paralela, soporta altas frecuencias de reloj para un acceso más rápido.
Tamaño de memoria de 288Mbit, organización 32M x 9 para una direccionamiento eficiente, tiempo de acceso de 20 nanosegundos, opera a frecuencias de reloj de hasta 400 MHz.
Tipo de memoria: DRAM, Tecnología: formato DRAM, Tamaño de memoria: 288Mbit.
Empaque de montaje en superficie 144-TFBGA, tamaño de paquete del dispositivo del proveedor: 144-FBGA (18.5x11).
Opera dentro de un amplio rango de temperatura de 0°C a 95°C.
Acceso a memoria de alta velocidad, adecuado para tareas de computación de alto rendimiento.
Estado obsoleto implica una competencia limitada en mercados contemporáneos.
Compatible con sistemas que requieren interfaces de DRAM paralelas.
Cumplimiento de normas según las regulaciones de Micron para productos DRAM.
Fiabilidad respaldada por la diligencia de Micron en la fabricación.
Utilizado en sistemas antes de que memorias modernas reemplazaran este producto.
MT49H32M9SJ-25:B Acciones | Precio MT49H32M9SJ-25:B | MT49H32M9SJ-25:B Electrónica |
Componentes MT49H32M9SJ-25:B | Inventario MT49H32M9SJ-25:B | MT49H32M9SJ-25:B Digikey |
Proveedor MT49H32M9SJ-25:B | Orden MT49H32M9SJ-25:B en línea | Consulta MT49H32M9SJ-25:B |
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