Modelo de Producto

NAND04GW3B2DN6E

Introducción

Componente de Memoria FLASH NAND de Micron

Marca y Fabricante

Micron Technology

Características

Memoria FLASH No Volátil, Gran Tamaño de Memoria de 4Gbit, Organización de Memoria de 512M x 8, Interfaz de Memoria Paralela, Tiempo de Ciclo de Escritura y Tiempo de Acceso de 25ns

Rendimiento del Producto

Altas Velocidades de Escritura y Acceso, Opera en un Amplio Rango de Voltajes de Suministro, Mantiene el Rendimiento en un Amplio Rango de Temperaturas

Especificaciones Técnicas

Tecnología FLASH, Formato de Memoria: NAND, Rango de Voltaje de Suministro: 2.7V a 3.6V, Rango de Temperatura de Funcionamiento: -40°C a 85°C

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete TFSOP de Montaje en Superficie de 48 Pines, Dimensiones: 0.724”, 18.40mm de Ancho, Enviado en Embalaje de Bandeja

Calidad y Fiabilidad

Altamente Fiable para Almacenamiento de Memoria No Volátil, Duradero en un Amplio Rango de Temperaturas

Ventajas del Producto

Proporciona un Tamaño de Almacenamiento Significativo para Aplicaciones, Velocidades de Acceso y Escritura Rápidas Mejoran el Rendimiento del Sistema

Competitividad del Producto

Descatalogado en Digi-Key, Indicando Disponibilidad Limitada

Compatibilidad

Compatible con Dispositivos que Requieren una Interfaz de Memoria Paralela, Funciona con un Amplio Rango de Suministros de Voltaje

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con las Certificaciones de la Industria Estándar para Componentes de Memoria

Duración y Sostenibilidad

Solución de Memoria No Volátil a Largo Plazo

Campos de Aplicación Real

Adecuado para una Amplia Gama de Aplicaciones que Requieren Almacenamiento No Volátil

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