MT46V16M16FG-6 | |
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Número de pieza | MT46V16M16FG-6 |
Fabricante | |
Descripción | |
cantidad disponible | Solicitar Stock y Presupuesto |
Hojas de datos | MT46V16M16FG-6.pdf |
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Información técnica de MT46V16M16FG-6 | |||
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Número de pieza del fabricante | MT46V16M16FG-6 | Categoría | Circuitos integrados (ICS) |
Fabricante | Descripción | ||
Paquete / caja | cantidad disponible | Available Stock | |
Condición | New Original Stock | Garantía | 100% Perfect Functions |
Tiempo de espera | 2-3days after payment. | Pago | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union |
Envío por | DHL / Fedex / UPS | Puerto | HongKong |
RFQ Email |
MT46V16M16FG-6
IC de memoria DRAM de alta velocidad para aplicaciones especializadas.
Micron Technology, Inc.
Alta ancho de banda de memoria, baja latencia, arquitectura de doble tasa de datos, latencia CAS programable, longitud de ráfaga programable.
Velocidades de reloj rápidas para acceso rápido a datos, rendimiento estable bajo diversas condiciones, bajo consumo de energía.
IC de memoria - DDR SDRAM, Voltaje - 2.5V.
Paquete TSOP-II, huella de 84 bolas, dimensiones estándar de la industria para compatibilidad.
Construcción de alta calidad, ampliamente probado para un rendimiento óptimo.
Mejora en la capacidad de respuesta del sistema, capacidades multitarea mejoradas.
Precio competitivo en el mercado de IC de memoria, conjunto de características robustas para aplicaciones especializadas.
Compatible con una amplia gama de microprocesadores y chipsets.
Cumplimiento de la norma JEDEC.
Confiable con una larga vida operativa, construido con materiales de origen sostenible.
Computación, redes, juegos, aplicaciones industriales.
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