PMF3800SN,115
Número de pieza PMF3800SN,115
Fabricante NXP USA Inc.
Descripción MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323-3
cantidad disponible 3550 pcs new original in stock.
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Modelo ECAD
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Información técnica de PMF3800SN,115
Número de pieza del fabricante PMF3800SN,115 Categoría  
Fabricante Freescale / NXP Semiconductors Descripción MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323-3
Paquete / caja SC-70 cantidad disponible 3550 pcs
VGS (th) (Max) @Id 3.3V @ 1mA Vgs (Max) ±15V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo SC-70
Serie TrenchMOS™ RDS (Max) @Id, Vgs 4.5Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo) 560mW (Tc) Paquete / Cubierta SC-70, SOT-323
Paquete Tape & Reel (TR) Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 0.85 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 260mA (Ta)
Número de producto base PMF38  
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