H5MS5162DFR-J3M
Número de pieza H5MS5162DFR-J3M
Fabricante SAMSUNG
Descripción SAMSUNG FBGA
cantidad disponible 2658 pcs new original in stock.
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Modelo ECAD
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Información técnica de H5MS5162DFR-J3M
Número de pieza del fabricante H5MS5162DFR-J3M Categoría Circuitos integrados (ICS)
Fabricante Samsung Semiconductor Descripción SAMSUNG FBGA
Paquete / caja FBGA cantidad disponible 2658 pcs
Condición New Original Stock Garantía 100% Perfect Functions
Tiempo de espera 2-3days after payment. Pago PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union
Envío por DHL / Fedex / UPS Puerto HongKong
RFQ Email   

Modelo de Producto

H5MS5162DFR-J3M

Introducción

Módulo de Memoria DRAM de Semiconductores Samsung

Marca y Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

Chip de memoria de alta densidad, bajo consumo de energía, altas tasas de transferencia de datos

Rendimiento del Producto

Operación estable, alta fiabilidad, baja latencia

Especificaciones Técnicas

Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio Sincrónica (SDRAM), Capacidad de memoria: 512 MB

Dimensiones, Forma y Empaque

Factor de forma compacto, forma estándar de módulo DRAM, empaque seguro para un transporte sin riesgos

Calidad y Fiabilidad

Control de calidad estricto, alta durabilidad, características robustas de comprobación de errores

Ventajas del Producto

Optimizado para computación de alto rendimiento, durabilidad mejorada

Competitividad del Producto

Tecnología de vanguardia, capacidades de procesamiento de datos de alta velocidad

Compatibilidad

Cumple con los principales estándares de la industria, ampliamente compatible con varios sistemas de computación

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con los estándares globales de la industria, conforme a RoHS

Duración y Sostenibilidad

Larga vida útil operativa, materiales y fabricación ecológicos

Campos de Aplicación Real

Electrónica de consumo, infraestructura de computación, sistemas de computación avanzados

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