Modelo de Producto

K4B4G3146C-SYF8

Introducción

IC SDRAM DDR3 de alto rendimiento

Marca y Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

Altas tasas de transferencia de datos, bajo consumo de energía, 8 bancos internos para operaciones simultáneas

Rendimiento del Producto

Soporta tasas de datos de hasta 1866 Mbps, auto-refresco compensado por temperatura (TCSR), latencia CAS y longitud de burst programables

Especificaciones Técnicas

Tecnología DDR3 SDRAM, ancho de datos: 4 bits, tamaño de memoria: 4 Gb

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete Ball Grid Array (BGA), perfil bajo para instalaciones compactas

Calidad y Fiabilidad

Operación en un rango de temperatura extendido, alta durabilidad bajo uso continuo de datos, cumplimiento de JEDEC para estándares de fiabilidad

Ventajas del Producto

Optimizado para aplicaciones de computación a alta velocidad, características térmicas mejoradas para mayor estabilidad

Competitividad del Producto

Rendimiento líder en la industria en la categoría DDR3, utilizado ampliamente en mercados tanto de consumo como industriales

Compatibilidad

Compatible con sockets estándar SDRAM DDR3, cumple con las especificaciones estándar de voltaje y tiempo para interoperabilidad

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con el estándar JEDEC, conforme a RoHS para la seguridad ambiental

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una fiabilidad a largo plazo, soporta modos de ahorro de energía para extender la vida útil y reducir el impacto ambiental

Campos de Aplicación Real

Electrónicos de consumo, dispositivos de computación, hardware de redes, sistemas embebidos

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