Modelo de Producto

K6T4016U3B-TF85

Introducción

Memoria de acceso aleatorio estática (SRAM) CMOS de alto rendimiento.

Marca y Fabricante

Samsung Semiconductor.

Características

SRAM de bajo consumo, entradas y salidas compatibles con TTL, apagado automático al deseleccionar.

Rendimiento del Producto

Tiempo de acceso rápido, bajo voltaje de retención de datos, corriente de retención de datos mínima.

Especificaciones Técnicas

Organización 256Kx16bits, rango de suministro de energía de 2.7V a 3.6V, rango de temperatura de operación: -40°C a +85°C.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete de pequeño contorno delgado de pitch fino de 48 terminales (TSOP1).

Calidad y Fiabilidad

Probada para resistencia y estabilidad, cumplimiento con los estándares de calidad de Samsung.

Ventajas del Producto

Solución SRAM de alta densidad, bajo consumo de energía ideal para aplicaciones con respaldo de batería.

Competitividad del Producto

Reputación y experiencia tecnológica de Samsung, precios competitivos y rendimiento.

Compatibilidad

Compatible con una amplia gama de microprocesadores y procesadores de señales digitales.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con los estándares JEDEC para SRAM.

Duración y Sostenibilidad

Ciclo de vida extendido para requisitos de memoria de grado industrial, cumplimiento con estándares ambientales.

Campos de Aplicación Real

Telecomunicaciones, sistemas de computación, electrónica portátil, electrónica automotriz.

K6T4016U3B-TF85 son nuevos y originales en stock, encuentre el inventario de componentes electrónicos K6T4016U3B-TF85, la hoja de datos, el inventario y el precio en línea en Ariat-Tech .com, ordene K6T4016U3B-TF85 SAMSUNG con garantía y confianza de parte de la tecnología Ariat Limitd. Envíe vía DHL / FedEx / UPS. El pago con transferencia bancaria o PayPal está bien.
Envíenos un correo electrónico: Info@Ariat-Tech.com o RFQ K6T4016U3B-TF85 en línea.