Modelo de Producto

K9F1208ROC-JIBO

Introducción

Circuito integrado de memoria flash diseñado para aplicaciones de almacenamiento de datos de alta velocidad

Marca y Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

Memoria flash NAND de alta densidad, bajo consumo de energía, alta fiabilidad y resistencia, admite gestión de bloques defectuosos

Rendimiento del Producto

Velocidades de lectura/escritura rápidas, eficiente capacidad de corrección de errores (ECC), amplio rango de temperatura operativa

Especificaciones Técnicas

Tipo de memoria: NAND Flash, Organización: 1G x 8, Voltaje: 2.7V a 3.6V, Tipo de interfaz: Paralela

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete: BGA de 48 pines, factor de forma compacto adecuado para diseños de PCB ajustados

Calidad y Fiabilidad

Cumple con los rigurosos estándares de prueba de Samsung, diseñado para una fiabilidad a largo plazo en diversos entornos

Ventajas del Producto

Alta densidad de almacenamiento, solución rentable para aplicaciones de almacenamiento masivo, robustas características de gestión de errores

Competitividad del Producto

Compite con otros circuitos integrados NAND flash ofreciendo una resistencia y fiabilidad superiores, relación calidad-precio favorable en el mercado de semiconductores

Compatibilidad

Compatible con interfaces estándares de NAND flash, fácil de integrar en sistemas existentes con mínima adaptación

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con las certificaciones estándar de la industria de semiconductores, conforme a RoHS y otras regulaciones ambientales

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para un ciclo de vida prolongado bajo condiciones de uso típicas, cuenta con tecnología de nivelación de desgaste para mejorar la durabilidad

Campos de Aplicación Real

Electrónica de consumo (por ejemplo, cámaras digitales, reproductores MP3), dispositivos móviles, sistemas embebidos, soluciones de almacenamiento de datos

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