K9F1G08U0B-PC80
Número de pieza K9F1G08U0B-PC80
Fabricante SAMSUNG
Descripción K9F1G08U0B-PC80 SAMSUNG
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Información técnica de K9F1G08U0B-PC80
Número de pieza del fabricante K9F1G08U0B-PC80 Categoría Circuitos integrados (ICS)
Fabricante Samsung Semiconductor Descripción K9F1G08U0B-PC80 SAMSUNG
Paquete / caja cantidad disponible 2605 pcs
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Modelo de Producto

K9F1G08U0B-PC80

Introducción

Memoria Flash NAND de Samsung Semiconductor

Marca y Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

Capacidad nativa de 1GB; arquitectura de memoria NAND flash; módulo de memoria de alta densidad; bajo consumo de energía; tamaño de página de 2K bytes.

Rendimiento del Producto

Velocidades de lectura y escritura rápidas; durabilidad con alto ciclo de programación/borrado; soporte para código de corrección de errores (ECC).

Especificaciones Técnicas

Rango de voltaje: 2.7V a 3.6V; tiempo de acceso en serie: 25ns.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete TSOP de 48 pines; factor de forma estándar de chip; embalaje sensible a la humedad.

Calidad y Fiabilidad

Cifras MTBF proporcionadas; resultados de pruebas de estrés disponibles; garantía de calidad de Samsung.

Ventajas del Producto

Alta densidad de almacenamiento; rendimiento robusto en diversas temperaturas; fiabilidad de la marca Samsung.

Competitividad del Producto

Precios competitivos en el mercado de memoria flash; reputación de Samsung por productos de memoria duraderos.

Compatibilidad

Soporta interfaces estándar de memoria NAND flash; útil en varios tipos de sistemas embebidos.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con las normativas estándar para memoria flash; cumplimiento RoHS.

Duración y Sostenibilidad

Larga vida operativa típica de la memoria NAND; el cumplimiento RoHS indica reducción de sustancias peligrosas.

Campos de Aplicación Real

Electrónica de consumo; dispositivos móviles; unidades de estado sólido (SSD); unidades USB flash.

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