Modelo de Producto

K9F4G08U0E-SIB0T

Introducción

Memoria Flash NAND Samsung K9F4G08U0E-SIB0

Marca y Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

Almacenamiento Flash NAND de Alta Densidad, Tecnología de Celdas de Un Solo Nivel (SLC), Capacidades Rápidas de Lectura y Escritura, Soporte para Código de Corrección de Errores (ECC), Soporte para Gestión de Bloques Dañados

Rendimiento del Producto

Programación de Alta Velocidad, Alta Resistencia y Fiabilidad, Bajo Consumo de Energía

Especificaciones Técnicas

Densidad de 4Gb (Gigabits), Interfaz de Entrada/Salida x8, Rango de Voltaje de Suministro: 2.7V a 3.6V, Rango de Temperatura de Funcionamiento: -40°C a +85°C

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete TSOP1, Paquete Estándar de 48 Pines, Ancho: 12mm, Largo: 20mm, Alto: 1.2mm

Calidad y Fiabilidad

Soporte MTBF (Tiempo Medio Entre Fallas), Rango de Temperatura de Funcionamiento Ampliado, Aseguramiento de Calidad con los Rigurosos Protocolos de Pruebas de Samsung

Ventajas del Producto

Gran Capacidad de Memoria para Aplicaciones de Almacenamiento, Retención de Datos Fiable, Velocidad de Acceso Rápida Beneficiosa para la Manipulación Rápida de Datos

Competitividad del Producto

Memoria Flash de Alto Rendimiento, Reputación por Durabilidad y Longevidad, Ampliamente Utilizada en el Mercado

Compatibilidad

Compatible con Controladores de Memoria Flash NAND Estándar

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con RoHS, Cumple con las Especificaciones de Normas de la Industria

Duración y Sostenibilidad

Diseñada para Fiabilidad a Largo Plazo, Capaz de Soportar un Alto Número de Ciclos de Programación/Borrado

Campos de Aplicación Real

Unidades de Estado Sólido (SSD), Sistemas Integrados, Cámaras Digitales y Reproductores de MP3, Dispositivos Móviles y Smartphones

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