Modelo de Producto

K9F8G08U1M-PIB0

Introducción

Memoria Flash NAND IC

Marca y Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

Gran capacidad de almacenamiento, alta resistencia, velocidad de programación rápida, bajo consumo de energía, soporte para ECC (Código de Corrección de Errores)

Rendimiento del Producto

Integración de alta densidad, operaciones de lectura/escritura eficientes, rendimiento consistente en un amplio rango de temperaturas

Especificaciones Técnicas

Densidad de 8Gb (Gigabits), tamaño de página: 2K + 64 Bytes, tamaño de bloque: 128K + 4K Bytes, voltaje de suministro: 2.7V ~ 3.6V

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete TSOP-1 de 48 pines, paquete de pequeña dimensión y delgado, soldable por reflujo

Calidad y Fiabilidad

Alta MTBF (Tiempo Medio Entre Fallos), resistencia a choques y vibraciones

Ventajas del Producto

Calidad de producto establecida de Samsung, solución de almacenamiento rentable

Competitividad del Producto

Líder en la industria de tecnología de memorias, ampliamente adoptado en mercados de consumo e industrial

Compatibilidad

Compatible con interfaces estándar de flash NAND

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con RoHS, cumple con las especificaciones estándar de la industria

Duración y Sostenibilidad

Larga vida operativa, soporta algoritmos de nivelación de desgaste

Campos de Aplicación Real

Dispositivos móviles, sistemas embebidos, cámaras digitales, unidades flash USB, unidades de estado sólido (SSD)

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