Modelo de Producto

KLUDG8V1EE-B0C1

Introducción

Circuito integrado de almacenamiento de memoria de alto rendimiento

Marca y Fabricante

Samsung Semiconductor

Características

Nivelación de desgaste avanzada, capacidades de lectura/escritura de alta velocidad, bajo consumo de energía, factor de forma compacto, retención de datos mejorada

Rendimiento del Producto

Rendimiento superior de entrada/salida, robusto código de corrección de errores (ECC), resistencia para operación continua

Especificaciones Técnicas

Tipo de NAND: V-NAND, Interfaz: UFS 3.1, Opciones de capacidad de memoria

Dimensiones, Forma y Empaque

Chip integrado de tamaño pequeño, embalaje industrial estándar, compatible con tecnología de montaje en superficie (SMT)

Calidad y Fiabilidad

Procesos rigurosos de control de calidad, alta MTBF (Tiempo Medio Entre Fallos), resistente a factores estresantes ambientales

Ventajas del Producto

Mayor capacidad de respuesta del sistema, adecuado para aplicaciones de alta densidad, optimizado para multitarea

Competitividad del Producto

Compite en velocidad y confiabilidad, líder del mercado en tecnología NAND, ventaja en eficiencia energética

Compatibilidad

Amplia compatibilidad con dispositivos, cumplimiento con estándares de interfaz de la industria

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con los estándares JEDEC, conforme a RoHS y otras directivas medioambientales

Duración y Sostenibilidad

Larga vida útil operativa, proceso de fabricación ecológico

Campos de Aplicación Real

Dispositivos móviles, computación de alto rendimiento, industria automotriz, soluciones de almacenamiento empresarial

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