Modelo de Producto

2SC2879

Introducción

Transistor diseñado para amplificación de potencia en radiofrecuencia.

Marca y Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Características

Transistor NPN, amplificación de alta potencia, operación a alta frecuencia, diseñado para amplificadores de potencia RF.

Rendimiento del Producto

Características de ganancia altas, eficiencia del colector alta, rendimiento estable a altas frecuencias, capaz de manejar salidas de alta potencia.

Especificaciones Técnicas

Tipo planar epitaxial de óxido de silicio NPN, Vceo = 25 V, Ic = 100 mA, P tot = 2W.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete TO-220, diseño compacto de orificio pasante, enviado en empaque antiestático.

Calidad y Fiabilidad

Calidad de fabricación consistente, rendimiento fiable en condiciones exigentes, trayectoria comprobada en aplicaciones de RF.

Ventajas del Producto

Alta ganancia de potencia, eficiencia en la amplificación de potencia RF, construcción duradera.

Competitividad del Producto

Reconocido en el campo de las comunicaciones por radio, competitivamente valorado dentro de su categoría.

Compatibilidad

Utilizable con una amplia gama de circuitos de RF, integración estándar con sistemas de radio existentes.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con los estándares relevantes de la industria electrónica, conforme a las directivas RoHS.

Duración y Sostenibilidad

Larga vida operativa bajo condiciones especificadas, construido con consideración del impacto ambiental.

Campos de Aplicación Real

Radios CB, transceptores de radioaficionados, fuentes de potencia RF de transmisión, aplicaciones de energía RF.

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