| 2SK3868(Q,M) | |
|---|---|
| Número de pieza | 2SK3868(Q,M) |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS |
| cantidad disponible | 2652 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | 1.2SK3868(Q,M).pdf2.2SK3868(Q,M).pdf |
| 2SK3868(Q,M) Price |
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| Información técnica de 2SK3868(Q,M) | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | 2SK3868(Q,M) | Categoría | |
| Fabricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descripción | MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS |
| Paquete / caja | TO-220SIS | cantidad disponible | 2652 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 1mA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-220SIS |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 1.7Ohm @ 2.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 35W (Tc) | Paquete / Cubierta | TO-220-3 Full Pack |
| Paquete | Bulk | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 16 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
| Número de producto base | 2SK3868 | ||
| Descargar | 2SK3868(Q,M) PDF - EN.pdf | ||
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| 2SK3868(Q,M) Acciones | Precio 2SK3868(Q,M) | 2SK3868(Q,M) Electrónica | |||
| Componentes 2SK3868(Q,M) | Inventario 2SK3868(Q,M) | 2SK3868(Q,M) Digikey | |||
| Proveedor 2SK3868(Q,M) | Orden 2SK3868(Q,M) en línea | Consulta 2SK3868(Q,M) | |||
| Imagen 2SK3868(Q,M) | 2SK3868(Q,M) Picture | 2SK3868(Q,M) PDF | |||
| Hoja de datos 2SK3868(Q,M) | Descargar la hoja de datos de 2SK3868(Q,M) | Fabricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |||
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