Modelo de Producto

K2698

Introducción

Transistor de Efecto de Campo tipo MOS de Canal N de Silicio

Marca y Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Características

Aplicaciones de Conmutación de Alta Velocidad, Baja Resistencia en Estado Conducido, Bajo Consumo de Potencia

Rendimiento del Producto

Control de Alta Tensión, Alta Velocidad de Conmutación, Óptimo para Amplificadores de Potencia de Alta Frecuencia

Especificaciones Técnicas

Tensión Drenador-Fuente (VDSS) 900V, Tensión Puerta-Fuente (VGSS) ±30V, Corriente Drenador Continua (ID) 5A, Disipación de Potencia en Drenador (PD) 100W

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete TO-3P, Libre de Plomo, Cumple con RoHS, Embalaje en Tubo

Calidad y Fiabilidad

Calidad Comprobada de Toshiba, Larga Vida Operativa, Tasa de Fallos Cumple con los Estándares de la Industria

Ventajas del Producto

Adecuado para Aplicaciones de Alta Tensión, Rendimiento Energéticamente Eficiente

Competitividad del Producto

Semiconductor de Alta Fiabilidad, Competitivo en Circuitos de Conmutación de Alta Tensión

Compatibilidad

Compatible con Circuitos Estándar Driven por MOSFET

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con RoHS, Cumple con Normas JEDEC

Duración y Sostenibilidad

Construcción Duradera para Larga Vida Útil, Materiales Ecológicos Libre de Plomo

Campos de Aplicación Real

Fuentes de Poder, Controles de Motor, Aplicaciones de Conmutación, Inversores de Alta Tensión

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