| SSM3J14TTE85LF | |
|---|---|
| Número de pieza | SSM3J14TTE85LF |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descripción | MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM |
| cantidad disponible | 3275 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | SSM3J14TTE85LF.pdf |
| SSM3J14TTE85LF Price |
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| Información técnica de SSM3J14TTE85LF | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | SSM3J14TTE85LF | Categoría | |
| Fabricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descripción | MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM |
| Paquete / caja | TSM | cantidad disponible | 3275 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | - | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TSM |
| Serie | U-MOSII | RDS (Max) @Id, Vgs | 85mOhm @ 1.35A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 700mW (Ta) | Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 413 pF @ 15 V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30 V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) | Número de producto base | SSM3J14 |
| Descargar | SSM3J14TTE85LF PDF - EN.pdf | ||
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| SSM3J14TTE85LF Acciones | Precio SSM3J14TTE85LF | SSM3J14TTE85LF Electrónica | |||
| Componentes SSM3J14TTE85LF | Inventario SSM3J14TTE85LF | SSM3J14TTE85LF Digikey | |||
| Proveedor SSM3J14TTE85LF | Orden SSM3J14TTE85LF en línea | Consulta SSM3J14TTE85LF | |||
| Imagen SSM3J14TTE85LF | SSM3J14TTE85LF Picture | SSM3J14TTE85LF PDF | |||
| Hoja de datos SSM3J14TTE85LF | Descargar la hoja de datos de SSM3J14TTE85LF | Fabricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |||
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