Modelo de Producto

TC58NVG2S3EBAI5

Introducción

Circuito Integrado CMOS de Memoria Flash NAND

Marca y Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Características

Alto rendimiento de lectura y escritura, gran capacidad de almacenamiento, bajo consumo de energía, soporte de borrado de página y bloque

Rendimiento del Producto

Rápida velocidad de programación, alta resistencia, corrección de errores integrada (ECC)

Especificaciones Técnicas

Memoria Flash NAND, densidad de 8Gb (Gigabit), rango de voltaje de suministro de 2.7V a 3.6V

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete Ball Grid Array (BGA), formato compacto

Calidad y Fiabilidad

Alta MTBF (tiempo medio entre fallos), resistencia de hasta 100,000 ciclos de programación/eliminación

Ventajas del Producto

Retención de datos competitiva, adecuado para aplicaciones de alto rendimiento

Competitividad del Producto

Rentable para soluciones de almacenamiento masivo, relación rendimiento-coste líder en la industria

Compatibilidad

Compatible con interfaces estándar de Flash NAND

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con RoHS, opciones libres de halógenos disponibles

Duración y Sostenibilidad

Larga vida útil con uso adecuado, procesos de fabricación ecológicos

Campos de Aplicación Real

Electrónica de consumo, unidades de estado sólido (SSDs), dispositivos móviles, sistemas embebidos

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