Modelo de Producto

THGBM1G4D1EBAI7

Introducción

Memoria flash NAND de alta densidad

Marca y Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Características

Capacidades de lectura/escritura de alta velocidad, soporte para ECC y nivelación de desgaste, bajo consumo de energía

Rendimiento del Producto

Rendimiento continuo alto para aplicaciones intensivas en datos, duradera en condiciones ambientales extremas, mecanismos eficientes de manejo de errores

Especificaciones Técnicas

Tipo: memoria flash NAND, Interfaz: interfaz de memoria flash estandarizada, Densidad: 4Gb

Dimensiones, Forma y Empaque

Tipo de paquete: Ball Grid Array (BGA), Formato compacto, Protección física robusta

Calidad y Fiabilidad

Altos estándares de fabricación, pruebas extensivas de durabilidad, rendimiento constante a lo largo del tiempo

Ventajas del Producto

Funciones mejoradas de seguridad de datos, optimizada para aplicaciones portátiles y embebidas

Competitividad del Producto

Precios competitivos en el mercado de memoria flash, rendimiento superior en velocidad de lectura/escritura en comparación con sus pares

Compatibilidad

Amplia compatibilidad con interfaces de memoria estándar, adecuada para diversos dispositivos y sistemas electrónicos

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con normas internacionales de semiconductores, conforme a regulaciones ambientales

Duración y Sostenibilidad

Larga vida operativa, diseñada para reducir el impacto ambiental

Campos de Aplicación Real

Dispositivos móviles, cámaras digitales, sistemas embebidos

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