TK10A55D(STA4,Q,M) | |
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Número de pieza | TK10A55D(STA4,Q,M) |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descripción | MOSFET N-CH 550V 10A TO220SIS |
cantidad disponible | 2517 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | TK10A55D(STA4,Q,M).pdf |
TK10A55D(STA4,Q,M) Price |
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Información técnica de TK10A55D(STA4,Q,M) | |||
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Número de pieza del fabricante | TK10A55D(STA4,Q,M) | Categoría | |
Fabricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descripción | MOSFET N-CH 550V 10A TO220SIS |
Paquete / caja | TO-220SIS | cantidad disponible | 2517 pcs |
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 1mA | Vgs (Max) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-220SIS |
Serie | π-MOSVII | RDS (Max) @Id, Vgs | 720mOhm @ 5A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 45W (Tc) | Paquete / Cubierta | TO-220-3 Full Pack |
Paquete | Tube | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 550 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Número de producto base | TK10A55 | ||
Descargar | TK10A55D(STA4,Q,M) PDF - EN.pdf |
TK10A55D(STA4,Q,M) Acciones | Precio TK10A55D(STA4,Q,M) | TK10A55D(STA4,Q,M) Electrónica | |||
Componentes TK10A55D(STA4,Q,M) | Inventario TK10A55D(STA4,Q,M) | TK10A55D(STA4,Q,M) Digikey | |||
Proveedor TK10A55D(STA4,Q,M) | Orden TK10A55D(STA4,Q,M) en línea | Consulta TK10A55D(STA4,Q,M) | |||
Imagen TK10A55D(STA4,Q,M) | TK10A55D(STA4,Q,M) Picture | TK10A55D(STA4,Q,M) PDF | |||
Hoja de datos TK10A55D(STA4,Q,M) | Descargar la hoja de datos de TK10A55D(STA4,Q,M) | Fabricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
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