TK10A55D(STA4,Q,M)
Número de pieza TK10A55D(STA4,Q,M)
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción MOSFET N-CH 550V 10A TO220SIS
cantidad disponible 2517 pcs new original in stock.
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Modelo ECAD
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Número de pieza del fabricante TK10A55D(STA4,Q,M) Categoría  
Fabricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Descripción MOSFET N-CH 550V 10A TO220SIS
Paquete / caja TO-220SIS cantidad disponible 2517 pcs
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 1mA Vgs (Max) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo TO-220SIS
Serie π-MOSVII RDS (Max) @Id, Vgs 720mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo) 45W (Tc) Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack
Paquete Tube Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 24 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 550 V Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Número de producto base TK10A55  
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