| TRS16N65FB,S1F(S | |
|---|---|
| Número de pieza | TRS16N65FB,S1F(S |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descripción | DODE SCHOTTKY 650V TO247 |
| cantidad disponible | Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | |
| TRS16N65FB,S1F(S Price |
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| Información técnica de TRS16N65FB,S1F(S | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | TRS16N65FB,S1F(S | Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Fabricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descripción | DODE SCHOTTKY 650V TO247 |
| Paquete / caja | TO-247 | cantidad disponible | Available Stock |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.7 V @ 8 A | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 650 V |
| Tecnología | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Paquete del dispositivo | TO-247 |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns | Paquete / Cubierta | TO-247-3 |
| Paquete | Tube | Temperatura de funcionamiento - Junction | 175°C (Max) |
| Tipo de montaje | Through Hole | configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 90 µA @ 650 V | Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 8A (DC) |
| Número de producto base | TRS16N65 |
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| TRS16N65FB,S1F(S Acciones | Precio TRS16N65FB,S1F(S | TRS16N65FB,S1F(S Electrónica | |||
| Componentes TRS16N65FB,S1F(S | Inventario TRS16N65FB,S1F(S | TRS16N65FB,S1F(S Digikey | |||
| Proveedor TRS16N65FB,S1F(S | Orden TRS16N65FB,S1F(S en línea | Consulta TRS16N65FB,S1F(S | |||
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