| VS-4ESH02-M3/86A | |
|---|---|
| Número de pieza | VS-4ESH02-M3/86A |
| Fabricante | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Descripción | DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A |
| cantidad disponible | 2688 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | 1.VS-4ESH02-M3/86A.pdf2.VS-4ESH02-M3/86A.pdf |
| VS-4ESH02-M3/86A Price |
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| Información técnica de VS-4ESH02-M3/86A | |||
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| Número de pieza del fabricante | VS-4ESH02-M3/86A | Categoría | Conectores, interconexiones |
| Fabricante | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | Descripción | DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A |
| Paquete / caja | TO-277A (SMPC) | cantidad disponible | 2688 pcs |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 930 mV @ 4 A | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 200 V |
| Tecnología | Standard | Paquete del dispositivo | TO-277A (SMPC) |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Serie | FRED Pt® |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 20 ns | Paquete / Cubierta | TO-277, 3-PowerDFN |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Corriente - Fuga inversa a Vr | 2 µA @ 200 V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 4A | Capacitancia Vr, F | - |
| Número de producto base | 4ESH02 | ||
| Descargar | VS-4ESH02-M3/86A PDF - EN.pdf | ||
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| VS-4ESH02-M3/86A Acciones | Precio VS-4ESH02-M3/86A | VS-4ESH02-M3/86A Electrónica |
| Componentes VS-4ESH02-M3/86A | Inventario VS-4ESH02-M3/86A | VS-4ESH02-M3/86A Digikey |
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