SI1539CDL-T1-GE3 | |
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Número de pieza | SI1539CDL-T1-GE3 |
Fabricante | Vishay Siliconix |
Descripción | MOSFET N/P-CH 30V SOT363 |
cantidad disponible | 4800 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | 1.SI1539CDL-T1-GE3.pdf2.SI1539CDL-T1-GE3.pdf |
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SI1539CDL-T1-GE3 Price |
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Información técnica de SI1539CDL-T1-GE3 | |||
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Número de pieza del fabricante | SI1539CDL-T1-GE3 | Categoría | |
Fabricante | Vishay / Siliconix | Descripción | MOSFET N/P-CH 30V SOT363 |
Paquete / caja | SC-70-6 | cantidad disponible | 4800 pcs |
VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | SC-70-6 | Serie | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 388mOhm @ 600mA, 10V | Potencia - Max | 340mW |
Paquete / Cubierta | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Paquete | Tape & Reel (TR) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 28pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 700mA, 500mA | Configuración | N and P-Channel |
Número de producto base | SI1539 | SI1539CDL-T1-GE3 Detalles PDF [English] | SI1539CDL-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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SI1539CDL-T1-GE3
Array de MOSFET - Canales N y P
Vishay / Siliconix
Puerta a Nivel Lógico, MOSFETs de Canales N y P en un paquete compacto, Tecnología de Montaje en Superficie para una ensamblaje más fácil
Funcionamiento a alta temperatura hasta 150°C, Gestión de energía eficiente, Baja resistencia en estado encendido, Velocidad de conmutación rápida
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss): 30V, Corriente - Drenaje Continua (Id): 700mA (Canal N), 500mA (Canal P), Rds On (Máx): 388 mOhm a Vgs 10V, Voltaje de Umbral de Puerta (Vgs(th)): Máx 2.5V a Id 250µA
Paquete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Paquete del dispositivo del proveedor: SOT-363, Empaque del fabricante: Digi-Reel
Libre de plomo y conforme a RoHS, Diseñado para longevidad y rendimiento estable
Excepcional relación potencia-tamaño, Funciona bien en aplicaciones de nivel lógico
Adecuado para diseños compactos y de alta eficiencia, Fuerte rendimiento en su categoría
Compatible con procesos SMT estándar
Libre de plomo, Conforme a RoHS
Durable en un amplio rango de temperatura, Adecuado para entornos exigentes
Utilizado en circuitos de gestión de energía, Ideal para aplicaciones de señal mixta, Común en equipos de computación y telecomunicaciones
SI1539CDL-T1-GE3 Acciones | Precio SI1539CDL-T1-GE3 | SI1539CDL-T1-GE3 Electrónica | |||
Componentes SI1539CDL-T1-GE3 | Inventario SI1539CDL-T1-GE3 | SI1539CDL-T1-GE3 Digikey | |||
Proveedor SI1539CDL-T1-GE3 | Orden SI1539CDL-T1-GE3 en línea | Consulta SI1539CDL-T1-GE3 | |||
Imagen SI1539CDL-T1-GE3 | SI1539CDL-T1-GE3 Picture | SI1539CDL-T1-GE3 PDF | |||
Hoja de datos SI1539CDL-T1-GE3 | Descargar la hoja de datos de SI1539CDL-T1-GE3 | Fabricante Vishay / Siliconix |
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Imagen | Número de pieza | Descripción | Fabricante | Consigue una cotización | |
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SI1539DDL-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 | Vishay Siliconix | ||
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SI1500 500G BTL | SCOTCH-WELD SURFACE INSENSITIVE | 3M | ||
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SI1501DL-T1-GE3 | SI1501DL-T1-GE3 VB | VB | ||
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