| SI6966EDQ-T1-GE3 | |
|---|---|
| Número de pieza | SI6966EDQ-T1-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP |
| cantidad disponible | 19441 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | 1.SI6966EDQ-T1-GE3.pdf2.SI6966EDQ-T1-GE3.pdf |
| Descargar | SI6966EDQ-T1-GE3 Detalles PDF |
| SI6966EDQ-T1-GE3 Price |
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| Información técnica de SI6966EDQ-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | SI6966EDQ-T1-GE3 | Categoría | |
| Fabricante | Vishay / Siliconix | Descripción | MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP |
| Paquete / caja | 8-TSSOP | cantidad disponible | 19441 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 600mV @ 250µA (Min) | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-TSSOP | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 30mOhm @ 5.2A, 4.5V | Potencia - Max | 1.25W |
| Paquete / Cubierta | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - | Configuración | 2 N-Channel (Dual) |
| Número de producto base | SI6966 | SI6966EDQ-T1-GE3 Detalles PDF [English] | SI6966EDQ-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
| Descargar | SI6966EDQ-T1-GE3 Detalles PDF | ||
Modelo de Producto
SI6966EDQ-T1-GE3
Introducción
Array de MOSFET de canal N nivel lógico
Marca y Fabricante
Vishay Siliconix
Características
Configuración dual de canal N. Control de puerta a nivel lógico.
Rendimiento del Producto
Velocidad de conmutación rápida. Baja resistencia en estado activado.
Especificaciones Técnicas
Libre de plomo y cumple con RoHS. Vdss: 20V. Rds On: 30 mOhm @ 5.2A, 4.5V. Vgs(th): 600mV @ 250µA. Qg: 25nC @ 4.5V.
Dimensiones, Forma y Empaque
8-TSSOP (0.173", 4.40mm de ancho). Empaque en cinta y carrete (TR).
Calidad y Fiabilidad
Funcionamiento a alta temperatura de -55°C a 150°C.
Ventajas del Producto
Eficiencia energética. Huella de tamaño reducido.
Competitividad del Producto
Optimizados para la gestión de energía.
Compatibilidad
Compatible con procesos estándar de montaje en superficie.
Certificación y Cumplimiento Estándar
Libre de plomo / Cumple con RoHS.
Duración y Sostenibilidad
Duradero y de larga duración para entornos de alta temperatura.
Campos de Aplicación Real
Fuentes de alimentación. Convertidores DC-DC. Sistemas de control de motores.
Envíenos un correo electrónico: Info@Ariat-Tech.com o RFQ SI6966EDQ-T1-GE3 en línea.
| SI6966EDQ-T1-GE3 Acciones | Precio SI6966EDQ-T1-GE3 | SI6966EDQ-T1-GE3 Electrónica | |||
| Componentes SI6966EDQ-T1-GE3 | Inventario SI6966EDQ-T1-GE3 | SI6966EDQ-T1-GE3 Digikey | |||
| Proveedor SI6966EDQ-T1-GE3 | Orden SI6966EDQ-T1-GE3 en línea | Consulta SI6966EDQ-T1-GE3 | |||
| Imagen SI6966EDQ-T1-GE3 | SI6966EDQ-T1-GE3 Picture | SI6966EDQ-T1-GE3 PDF | |||
| Hoja de datos SI6966EDQ-T1-GE3 | Descargar la hoja de datos de SI6966EDQ-T1-GE3 | Fabricante Vishay / Siliconix | |||
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