SI7460DP-T1-E3 | |
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Número de pieza | SI7460DP-T1-E3 |
Fabricante | Vishay Siliconix |
Descripción | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
cantidad disponible | 7442 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | 1.SI7460DP-T1-E3.pdf2.SI7460DP-T1-E3.pdf |
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Información técnica de SI7460DP-T1-E3 | |||
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Número de pieza del fabricante | SI7460DP-T1-E3 | Categoría | |
Fabricante | Vishay / Siliconix | Descripción | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
Paquete / caja | PowerPAK® SO-8 | cantidad disponible | 7442 pcs |
VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PowerPAK® SO-8 |
Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 9.6mOhm @ 18A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 1.9W (Ta) | Paquete / Cubierta | PowerPAK® SO-8 |
Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60 V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) | Número de producto base | SI7460 |
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SI7460DP-T1-E3
Transistor MOSFET N-Channel de Vishay Siliconix PowerPAK SO-8
Vishay / Siliconix
Tecnología TrenchFET N-Channel; alta eficiencia debido a baja resistencia en conducción; densidad de potencia mejorada.
Opera a temperaturas que varían desde -55°C hasta 150°C; capacidad de corriente de drenaje continua de 11A a 25°C; disipación de potencia de 1.9W a temperatura ambiente.
Voltaje Drenaje a Fuente (Vdss) de 60V; Voltaje Umbral de Puerta-Fuente (Vgs(th)) máximo de 3V a 250µA; resistencia de conducción estática Drenaje-Fuente (Rds On) de 9.6 mOhm a 18A, 10V.
Paquete PowerPAK SO-8; suministrado en cinta y carrete (TR) para ensamblaje automatizado.
Libre de plomo y cumple con RoHS; construido para un rendimiento constante y alta fiabilidad.
Baja resistencia térmica; adecuado para aplicaciones de alta densidad de potencia.
Competitivo en aplicaciones de gestión de energía de alta eficiencia.
Compatible con procesos de ensamblaje automatizado; compatible con tecnología de montaje en superficie.
Libre de plomo y cumple con RoHS; asegura el cumplimiento de estándares ambientales y de salud.
Duradero con una larga vida operativa bajo condiciones especificadas.
Fuente de alimentación; gestión de energía; convertidores DC-DC; aplicaciones de conmutación.
SI7460DP-T1-E3 Acciones | Precio SI7460DP-T1-E3 | SI7460DP-T1-E3 Electrónica | |||
Componentes SI7460DP-T1-E3 | Inventario SI7460DP-T1-E3 | SI7460DP-T1-E3 Digikey | |||
Proveedor SI7460DP-T1-E3 | Orden SI7460DP-T1-E3 en línea | Consulta SI7460DP-T1-E3 | |||
Imagen SI7460DP-T1-E3 | SI7460DP-T1-E3 Picture | SI7460DP-T1-E3 PDF | |||
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