Modelo de Producto

SI7540DP-T1-E3

Introducción

Matriz de MOSFET de Canal N y P

Marca y Fabricante

Vishay / Siliconix

Características

Puerta de Nivel Lógico, Manejo de Potencia Mejorado, Configuración de MOSFET de Canal N y P Doble, Baja Resistencia de Encendido

Rendimiento del Producto

Corrientes de Drenaje Continuas Altas de 7.6A (Canal N), 5.7A (Canal P), Operación entre -55°C y 150°C, Carga de Puerta Baja

Especificaciones Técnicas

Tipo FET: Canal N y P, Voltaje Drenaje a Fuente (Vdss): 12V, Rds On (Máx.): 17 mOhm, Carga de Puerta (Qg): 17nC, Vgs(th) (Máx.): 1.5V

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete PowerPAK de Superficie SO-8 Dual, Revestido en Cinta (TR) para Montaje Automatizado

Calidad y Fiabilidad

Fabricado por Vishay, Líder en Tecnología de Semiconductores

Ventajas del Producto

Alta eficiencia con pérdidas de conducción reducidas, Fácil de conducir con umbral de puerta de nivel lógico

Competitividad del Producto

Rendimiento competitivo de Rds(on) y Carga de Puerta, Adecuado para aplicaciones de gestión de potencia de alta densidad

Compatibilidad

Compatible con Tecnología de Montaje en Superficie, Aplicable para Circuitos de Conducción de Puerta de Nivel Lógico

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con las Normas Industriales para Componentes Electrónicos

Duración y Sostenibilidad

Resistente con temperaturas de operación que van de -55°C a 150°C

Campos de Aplicación Real

Gestión de Potencia, Telecomunicaciones, Computación, Sistemas de Gestión de Baterías, Conmutación de Carga

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