SI7858BDP-T1-GE3 | |
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Número de pieza | SI7858BDP-T1-GE3 |
Fabricante | Vishay Siliconix |
Descripción | MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 |
cantidad disponible | 1500 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | 1.SI7858BDP-T1-GE3.pdf2.SI7858BDP-T1-GE3.pdf3.SI7858BDP-T1-GE3.pdf4.SI7858BDP-T1-GE3.pdf |
SI7858BDP-T1-GE3 Price |
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Información técnica de SI7858BDP-T1-GE3 | |||
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Número de pieza del fabricante | SI7858BDP-T1-GE3 | Categoría | |
Fabricante | Vishay / Siliconix | Descripción | MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 |
Paquete / caja | PowerPAK® SO-8 | cantidad disponible | 1500 pcs |
VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA | Vgs (Max) | ±8V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PowerPAK® SO-8 |
Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 2.5mOhm @ 15A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo) | 5W (Ta), 48W (Tc) | Paquete / Cubierta | PowerPAK® SO-8 |
Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5760 pF @ 6 V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 84 nC @ 4.5 V | Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 12 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Número de producto base | SI7858 | ||
Descargar | SI7858BDP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
SI7858BDP-T1-GE3
Este producto es un transistor semiconductor discreto, más específicamente un MOSFET de canal N de la serie TrenchFET.
El fabricante es Vishay/Siliconix.
Las principales características de este modelo incluyen su configuración de canal N, tipo de montaje en superficie y tecnología MOSFET (Transistor de Efecto de Campo de Semiconductores de Óxido Metálico). También cuenta con una disipación máxima de potencia de 5W (Ta), 48W (Tc).
Este producto presenta un Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) de 12V y una corriente de drenaje continua (Id) a 25°C de 40A (Tc). También promete una Rds On (Máx) a Id, Vgs de 2.5 mOhm@15A, 4.5V y una carga de puerta (Qg) (Máx) a Vgs de 84nC@4.5V.
Algunas especificaciones técnicas de este modelo incluyen un rango de temperatura de funcionamiento de -55°C a 150°C, una capacitancia de entrada (Ciss) (Máx) a Vds de 5760pF@6V, y un rango de voltaje de funcionamiento para Vgs (Máx) de -8V.
El paquete para este producto es un PowerPAK SO-8, y se suministra de esta manera. Este producto viene en un empaque de cinta y carrete.
Proveniente del fabricante establecido Vishay/Siliconix, ofrece un rendimiento confiable y alta calidad.
Con un amplio rango de temperatura de funcionamiento y una robusta disipación de potencia, este transistor es eficiente y capaz.
El producto se distingue por su alta capacidad de corriente y baja resistencia, convirtiéndolo en una opción competitiva.
Siendo un componente de montaje en superficie, es compatible con varios diseños de circuitos, asegurando flexibilidad en las aplicaciones.
Como producto de Vishay/Siliconix, se espera que cumpla con todas las certificaciones estándar de la industria.
El producto está diseñado para un rendimiento duradero con una vida útil adaptada a aplicaciones industriales o comerciales sostenidas.
Este tipo de producto se utiliza típicamente en electrónica general, unidades de suministro de energía, equipos de audio y diversas aplicaciones industriales.
SI7858BDP-T1-GE3 Acciones | Precio SI7858BDP-T1-GE3 | SI7858BDP-T1-GE3 Electrónica | |||
Componentes SI7858BDP-T1-GE3 | Inventario SI7858BDP-T1-GE3 | SI7858BDP-T1-GE3 Digikey | |||
Proveedor SI7858BDP-T1-GE3 | Orden SI7858BDP-T1-GE3 en línea | Consulta SI7858BDP-T1-GE3 | |||
Imagen SI7858BDP-T1-GE3 | SI7858BDP-T1-GE3 Picture | SI7858BDP-T1-GE3 PDF | |||
Hoja de datos SI7858BDP-T1-GE3 | Descargar la hoja de datos de SI7858BDP-T1-GE3 | Fabricante Vishay / Siliconix |
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