| SIE808DF-T1-E3 | |
|---|---|
| Número de pieza | SIE808DF-T1-E3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Descripción | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK |
| cantidad disponible | 2955 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | SIE808DF-T1-E3.pdf |
| Descargar | SIE808DF-T1-E3 Detalles PDF |
| SIE808DF-T1-E3 Price |
Solicitar precio y tiempo de entrega en línea or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Información técnica de SIE808DF-T1-E3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | SIE808DF-T1-E3 | Categoría | |
| Fabricante | Vishay / Siliconix | Descripción | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK |
| Paquete / caja | 10-PolarPAK® (L) | cantidad disponible | 2955 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 10-PolarPAK® (L) |
| Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 1.6mOhm @ 25A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) | Paquete / Cubierta | 10-PolarPAK® (L) |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8800 pF @ 10 V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 155 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Número de producto base | SIE808 | SIE808DF-T1-E3 Detalles PDF [English] | SIE808DF-T1-E3 PDF - EN.pdf |
| Descargar | SIE808DF-T1-E3 Detalles PDF | ||
Modelo de Producto
SIE808DF-T1-E3
Introducción
MOSFET de alto rendimiento de canal N
Marca y Fabricante
Vishay / Siliconix
Características
Tecnología TrenchFET, alta corriente continua de drenaje de 60A, baja resistencia en estado de conducción de 1.6 mOhm, velocidad de conmutación rápida.
Rendimiento del Producto
Alta eficiencia con pérdidas de energía reducidas, capacidades de gestión térmica.
Especificaciones Técnicas
Tecnología MOSFET (Metal Oxide).
Dimensiones, Forma y Empaque
Paquete 10-PolarPAK (L), montaje en superficie, embalaje en cinta y carrete (TR).
Calidad y Fiabilidad
Opera a temperaturas desde -55°C hasta 150°C.
Ventajas del Producto
Ahorro de energía para aplicaciones de alta densidad de potencia.
Competitividad del Producto
Líder del mercado en MOSFET de potencia.
Compatibilidad
Compatible con procesos estándar de montaje en superficie.
Certificación y Cumplimiento Estándar
Cumplimiento de normas de la industria para MOSFET.
Duración y Sostenibilidad
Diseñado para una fiabilidad a largo plazo.
Campos de Aplicación Real
Gestión de energía en informática, infraestructura de telecomunicaciones, aplicaciones industriales.
Envíenos un correo electrónico: Info@Ariat-Tech.com o RFQ SIE808DF-T1-E3 en línea.
| SIE808DF-T1-E3 Acciones | Precio SIE808DF-T1-E3 | SIE808DF-T1-E3 Electrónica | |||
| Componentes SIE808DF-T1-E3 | Inventario SIE808DF-T1-E3 | SIE808DF-T1-E3 Digikey | |||
| Proveedor SIE808DF-T1-E3 | Orden SIE808DF-T1-E3 en línea | Consulta SIE808DF-T1-E3 | |||
| Imagen SIE808DF-T1-E3 | SIE808DF-T1-E3 Picture | SIE808DF-T1-E3 PDF | |||
| Hoja de datos SIE808DF-T1-E3 | Descargar la hoja de datos de SIE808DF-T1-E3 | Fabricante Vishay / Siliconix | |||
| Partes relacionadas para SIE808DF-T1-E3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Imagen | Número de pieza | Descripción | Fabricante | Consigue una cotización | |
 |
SIE806DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE802DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE810DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE806DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE812DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
 |
SIE806DF MOS | VISHAY PolarPAK | VISHAY | ||
|
SIE802DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
 |
SIE804DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 37A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE806DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE812DF | SIE812DF vishay | vishay | ||
|
SIE806DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE808DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE812DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE808DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE810DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE802DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE810DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE810DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE804DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 37A POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE808DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
Noticias
Más
Polarfire® Soc FPGA de Microchip ha recibido la certificación AEC -Q100, confirmando su confiabilidad en condiciones automotrices duras, incluida la...
El PSOCTM 4000T es el primer producto de Infineon en presentar la tecnología Capsense ™ de quinta generación de la compañía y la funcionalidad de...
Un ejecutivo de proveedores de auto piezas reveló que el desarrollo de EV en el mercado norteamericano se ha estancado a medida que los fabricantes d...
Infineon y Eatron están expandiendo su colaboración del Sistema de Gestión de Batería AI (BMS) en la electrónica industrial y de consumo.Basado e...
En Semiconductor anunció recientemente el lanzamiento de su primer sensor de tiempo de vuelo (ITOF) en tiempo real (ITOF), la serie Hyperlux ID, que ...
nuevos productos
Más
Sensor fotoeléctrico de la serie PD30 Los sensores fotoeléctricos en miniatura de Carlo Gavazzi so...
Kit de evaluación XC112 / XR112 para el radar coherente pulsado A111Kit de evaluación XC112 y XR112 de Acconeer con cables planos flexibles y soport...
Servo Drives y motores de la serie MINAS A6 La familia MINAS A6 de Panasonic asegura un funcionamien...
Tablero de conductor LED ultravioleta Placa de controlador UV LED de RayVio para las series XE y XP1...
Prueba industrial y extendida DDR SDRAM Los dispositivos SDRAM DDR de Insignis garantizan el funcion...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966AÑADIR: Salón 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Aviso de derechos de autor © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Todos los derechos reservados.