SIR470DP-T1-GE3
Número de pieza SIR470DP-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descripción MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
cantidad disponible 31246 pcs new original in stock.
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Modelo ECAD
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Información técnica de SIR470DP-T1-GE3
Número de pieza del fabricante SIR470DP-T1-GE3 Categoría  
Fabricante Vishay / Siliconix Descripción MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Paquete / caja PowerPAK® SO-8 cantidad disponible 31246 pcs
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo PowerPAK® SO-8
Serie TrenchFET® RDS (Max) @Id, Vgs 2.3mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Paquete / Cubierta PowerPAK® SO-8
Paquete Tape & Reel (TR) Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5660 pF @ 20 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 155 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)
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Modelo de Producto

SIR470DP-T1-GE3

Introducción

Transistor MOSFET de potencia N-Channel TrenchFET de alto rendimiento

Marca y Fabricante

Vishay / Siliconix

Características

Tecnología MOSFET (Óxido Metálico) tipo N-Channel. Empaque en cinta y carrete (TR) para ensamblaje automático. Compatible con tecnología de montaje en superficie (SMT). Cumple con RoHS para seguridad ambiental. Libre de plomo para reducir la toxicidad.

Rendimiento del Producto

Voltaje entre Drenador y Fuente (Vdss) soporta 40V. Corriente de drenaje continua (Id) de 60A a 25°C (Tc). Baja resistencia en estado activo Rds On de 2.3 mOhm a 20A, 10V. Carga de puerta (Qg) de 155nC a 10V. Capacitancia de entrada (Ciss) de 5660pF a 20V. Capaz de soportar altas temperaturas de hasta 150°C (TJ).

Especificaciones Técnicas

Disipación de potencia de 6.25W (Ta), 104W (Tc). Voltaje de umbral de puerta (Vgs(th)) de 2.5V a 250A. Voltaje de accionamiento de 4.5V (Rds On máximo), 10V (Rds On mínimo). Voltaje máximo entre puerta y fuente (Vgs max) ±20V.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete PowerPAK SO-8. Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK SO-8. Empaque en cinta y carrete (TR) para procesos de ensamblaje eficientes.

Calidad y Fiabilidad

Construido por Vishay / Siliconix, una empresa de renombre. Estructura robusta para un rendimiento sostenido.

Ventajas del Producto

Alta capacidad de corriente de drenaje. Eficiencia energética mejorada con baja Rds On. Adecuado para aplicaciones de potencia de alta densidad.

Competitividad del Producto

Competitivo en el campo de semiconductores discretos de alto rendimiento. Ofrece un equilibrio entre precio y rendimiento.

Compatibilidad

Compatible con procesos de fabricación SMT estándar. Se ajusta a las huellas y técnicas de ensamblaje estándar PowerPAK SO-8.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con RoHS para seguridad ambiental y del consumidor.

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una larga vida operativa bajo condiciones especificadas.

Campos de Aplicación Real

Gestión de energía para equipos de computación y redes. Conversores DC/DC. Accionamientos de motores. Sistemas alimentados por batería. Aplicaciones de conmutación que requieren control eficiente de energía.

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