SIR470DP-T1-GE3 | |
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Número de pieza | SIR470DP-T1-GE3 |
Fabricante | Vishay Siliconix |
Descripción | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
cantidad disponible | 31246 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | 1.SIR470DP-T1-GE3.pdf2.SIR470DP-T1-GE3.pdf3.SIR470DP-T1-GE3.pdf4.SIR470DP-T1-GE3.pdf |
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Información técnica de SIR470DP-T1-GE3 | |||
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Número de pieza del fabricante | SIR470DP-T1-GE3 | Categoría | |
Fabricante | Vishay / Siliconix | Descripción | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
Paquete / caja | PowerPAK® SO-8 | cantidad disponible | 31246 pcs |
VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PowerPAK® SO-8 |
Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 2.3mOhm @ 20A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | Paquete / Cubierta | PowerPAK® SO-8 |
Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5660 pF @ 20 V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 155 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 40 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Número de producto base | SIR470 | SIR470DP-T1-GE3 Detalles PDF [English] | SIR470DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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SIR470DP-T1-GE3
Transistor MOSFET de potencia N-Channel TrenchFET de alto rendimiento
Vishay / Siliconix
Tecnología MOSFET (Óxido Metálico) tipo N-Channel. Empaque en cinta y carrete (TR) para ensamblaje automático. Compatible con tecnología de montaje en superficie (SMT). Cumple con RoHS para seguridad ambiental. Libre de plomo para reducir la toxicidad.
Voltaje entre Drenador y Fuente (Vdss) soporta 40V. Corriente de drenaje continua (Id) de 60A a 25°C (Tc). Baja resistencia en estado activo Rds On de 2.3 mOhm a 20A, 10V. Carga de puerta (Qg) de 155nC a 10V. Capacitancia de entrada (Ciss) de 5660pF a 20V. Capaz de soportar altas temperaturas de hasta 150°C (TJ).
Disipación de potencia de 6.25W (Ta), 104W (Tc). Voltaje de umbral de puerta (Vgs(th)) de 2.5V a 250A. Voltaje de accionamiento de 4.5V (Rds On máximo), 10V (Rds On mínimo). Voltaje máximo entre puerta y fuente (Vgs max) ±20V.
Paquete PowerPAK SO-8. Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK SO-8. Empaque en cinta y carrete (TR) para procesos de ensamblaje eficientes.
Construido por Vishay / Siliconix, una empresa de renombre. Estructura robusta para un rendimiento sostenido.
Alta capacidad de corriente de drenaje. Eficiencia energética mejorada con baja Rds On. Adecuado para aplicaciones de potencia de alta densidad.
Competitivo en el campo de semiconductores discretos de alto rendimiento. Ofrece un equilibrio entre precio y rendimiento.
Compatible con procesos de fabricación SMT estándar. Se ajusta a las huellas y técnicas de ensamblaje estándar PowerPAK SO-8.
Cumple con RoHS para seguridad ambiental y del consumidor.
Diseñado para una larga vida operativa bajo condiciones especificadas.
Gestión de energía para equipos de computación y redes. Conversores DC/DC. Accionamientos de motores. Sistemas alimentados por batería. Aplicaciones de conmutación que requieren control eficiente de energía.
SIR470DP-T1-GE3 Acciones | Precio SIR470DP-T1-GE3 | SIR470DP-T1-GE3 Electrónica | |||
Componentes SIR470DP-T1-GE3 | Inventario SIR470DP-T1-GE3 | SIR470DP-T1-GE3 Digikey | |||
Proveedor SIR470DP-T1-GE3 | Orden SIR470DP-T1-GE3 en línea | Consulta SIR470DP-T1-GE3 | |||
Imagen SIR470DP-T1-GE3 | SIR470DP-T1-GE3 Picture | SIR470DP-T1-GE3 PDF | |||
Hoja de datos SIR470DP-T1-GE3 | Descargar la hoja de datos de SIR470DP-T1-GE3 | Fabricante Vishay / Siliconix |
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SIR470DP-T1-GE3 MOS | VISHAY QFN | VISHAY | ||
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SIR468DP-T1-GE3 MOS | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
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