Modelo de Producto

SUD08P06-155L-GE3

Introducción

MOSFET de Potencia TrenchFET de 60V, Canal P

Marca y Fabricante

Vishay / Siliconix

Características

MOSFET de Canal P, Tecnología TrenchFET, Montaje Superficial TO-252, Sin Plomo / Cumple con la normativa RoHS, Baja Resistencia en Estado Conducido, Alta Velocidad de Conmutación

Rendimiento del Producto

Rango de Temperatura de Operación: -55°C a 150°C, Corriente - Drenaje Continuo 8.4A a 25°C, Dissipación de Potencia 1.7W en Ambiente, 20.8W a Temperatura de Caja

Especificaciones Técnicas

Voltaje de Drenaje a Fuente 60V, Rds On 155 mOhm a 5A, 10V, Voltaje de Umbral 3V a 250µA, Carga de Puerta 19nC a 10V, Capacitancia de Entrada 450pF a 25V

Dimensiones, Forma y Empaque

TO-252-3, DPak (2 Patas + Tab), Paquete SC-63, Empaque del Fabricante: Cinta y Carrete

Calidad y Fiabilidad

Alta calidad y fiabilidad según estándares de la industria

Ventajas del Producto

Dispositivo Energéticamente Eficiente, Optimizado para Baja Carga de Puerta

Competitividad del Producto

Voltaje de Ruptura Drenaje-Fuente Competitivo, Competitividad Mejorada en el Mercado de MOSFET de Canal P

Compatibilidad

Compatible con Técnicas de Montaje Superficial Estándar

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con RoHS

Duración y Sostenibilidad

Diseño Duradero y Sostenible para Uso a Largo Plazo

Campos de Aplicación Real

Gestión de Potencia en Sistemas de Informática y Telecomunicaciones, Aplicaciones de Conmutación y Amplificación

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