El módulo IGBT BSM75GP60 de Infineon es un componente básico utilizado en muchos electrónicos como controles de motor y sistemas de energía.Está diseñado para manejar la alta potencia y opera de manera eficiente, lo que lo hace excelente para trabajos difíciles.Este módulo combina una capacidad de alta tensión y corriente con una conmutación rápida, asegurando que los dispositivos funcionen sin problemas y duren mucho.
El BSM75GP60 De Infineon es un módulo IGBT robusto diseñado para una gama de aplicaciones electrónicas de energía, como unidades de motor, sistemas UPS y unidades de fuente de alimentación.Este módulo se destaca con su alto voltaje del emisor de colección y las clasificaciones de corriente del colector, lo que lo hace bien adecuado para los requisitos de mediana a alta potencia.Está empaquetado de manera eficiente para optimizar el espacio y mejorar la disipación de calor, requerida para mantener el rendimiento y la longevidad en entornos exigentes.
BSM75GP60 incluye un diodo integrado de ruedas libres, ideal para proteger contra voltajes inversos al tratar con cargas inductivas.El uso de la tecnología IGBT permite velocidades de conmutación más rápidas, lo que mejora eficientemente la eficiencia y reduce las pérdidas en los sistemas de conversión de potencia.Para aplicaciones que exigen una conversión y control de potencia confiables y eficientes, el BSM75GP60 ofrece un excelente equilibrio entre las capacidades de manejo de potencia y conmutación.
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Manejo de alta potencia - Puede manejar hasta 600V y 75A continuamente, con picos de hasta 150a, lo que lo hace ideal para aplicaciones de mediana a alta potencia.
Baja pérdida de potencia - Ofrece una caída de bajo voltaje (2.2V) durante la operación, lo que ayuda a mejorar la eficiencia y reducir el calor.
Diodo incorporado - Incluye un diodo de rueda libre para manejar de forma segura la corriente inversa, especialmente útil cuando se trabaja con motores o cargas inductivas.
Buena disipación de calor - Construido con un diseño que elimina efectivamente el calor, ayudando a mantener un rendimiento estable incluso bajo una carga pesada.
Conmutación rápida -Se enciende y apaga rápidamente (dentro de los nanosegundos), lo que ayuda en operaciones de alta velocidad y alta frecuencia como inversores y accionamientos motoros.
Impulso del motor - Se utiliza en sistemas de control de motores industriales para administrar eficientemente la velocidad y el par de los motores de CA y CC.
Suministros ininterrumpidos (UPS) - Ayuda a mantener la potencia continua durante las interrupciones al cambiar eficientemente entre las fuentes de energía.
Inversores - Convierte la potencia de CC en potencia de CA, haciéndola útil en sistemas de energía solar, vehículos eléctricos y unidades de frecuencia variable (VFD).
Equipo de soldadura - Ofrece un control de energía estable y eficiente para máquinas de soldadura industrial.
Fuente de alimentación - Admite la conversión de energía de alta eficiencia en grandes sistemas de suministro de energía para fábricas o centros de datos.
Sistemas HVAC - Utilizado en equipos de calefacción, ventilación y aire acondicionado para control confiable de motor y compresor.
Modelo | Calificación de voltaje | Calificación actual | Observaciones |
---|---|---|---|
BSM75GB60DLC | 600V | 75a | Alternativa más cercana a BSM75GP60 con especificaciones similares. |
BSM75GB120DLC | 1200V | 75a | Calificación de mayor voltaje, adecuada para sistemas más exigentes. |
BSM75GB120DN2 | 1200V | 105a | Versión de mayor potencia para aplicaciones de servicio pesado. |
FP50R07N2E4 | 700V | 50A | Especificaciones similares a BSM50GP60 pueden funcionar en casos menos exigentes. |
FF300R07KE4 | 700V | 300A | Mayor capacidad actual, adecuada para sistemas potentes. |
Especificación | BSM75GP60 | BSM75GB60DLC |
---|---|---|
Fabricante | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Tecnología IGBT | Trinchera + parada de campo | Trinchera + parada de campo |
Calificación de voltaje (VCES) | 600 V | 600 V |
Corriente nominal (yodo) | 75 a (en tdo = 70 ° C) | 75 a (en tdo = 80 ° C) |
Corriente máxima (yoCRM) | 150 A | 150 A |
Voltaje de saturación (VCesat) | 1.95 V @ 25 ° C / 2.2 V @ 125 ° C | 1.95 V @ 25 ° C / 2.2 V @ 125 ° C |
Voltaje hacia adelante de diodo (VF) | 1.2 V típico @ 125 ° C | 1.2 V típico @ 125 ° C |
Tiempo de cambio (ten, tapagado) | 70 ns (con retraso), 310 ns (retraso de apagado), Aumento de 65 ns, 30 ns caída |
63 ns (con retraso), 155 ns (retraso de apagado), 22 ns ascenso, 20 ns caída |
Resistencia térmica (RTHJC) | 0.4 k/w (IGBT), 0.65 k/w (diodo) | 0.35 k/w (IGBT), 0.58 k/w (diodo) |
Temperatura máxima de unión | 150 ° C | 150 ° C |
Tipo de paquete | Econopim 3 | Econo 2 |
Estilo de montaje | Tipo de tornillo | Tipo de tornillo |
Áreas de aplicación | Unidades de motor, UPS, inversores de energía, sistemas HVAC | Unidades de motor, UPS, convertidores de energía renovable, herramientas eléctricas |
Características integradas | Diodo de rueda libre | Diodo de rueda libre |
Voltaje del emisor de puerta (VGe) | ± 20 V Max | ± 20 V Max |
Capacidad de cortocircuito | Sí (hasta 10 µs) | Sí (hasta 10 µs) |
Cumplimiento de ROHS | Sí | Sí |
Ventajas:
- Maneja hasta 75A continuo y 150 A pico, ideal para cargas pesadas.
- Adecuado para aplicaciones de voltaje medio como unidades de motor y sistemas UPS.
- Reduce las pérdidas de conducción, mejorando la eficiencia general del sistema.
- Mejora el rendimiento en aplicaciones de alta frecuencia.
- Protege contra el voltaje inverso en los circuitos inductivos.
- Equipado con disipación de calor efectiva (0.4 k/w RTHJC).
- construido para soportar entornos industriales duros y estrés eléctrico.
- Fácil de integrar en los sistemas y diseños existentes.
Desventajas:
- No es adecuado para aplicaciones de alto voltaje más allá de este umbral.
- Puede necesitar un trabajo mecánico adicional durante el ensamblaje.
- Si bien es eficiente, los módulos más nuevos pueden ofrecer pérdidas de conmutación incluso más bajas.
- Alternativas como el BSM75GB60DLC ofrecen un cambio más rápido y una mejor resistencia térmica.
- Necesita los circuitos del controlador adecuado para administrar las señales de compuerta de manera segura.
El diagrama de circuito que se muestra es para el BSM75GP60, un módulo de potencia IGBT trifásico comúnmente utilizado en unidades de motor industrial y aplicaciones de conversión de energía.Este módulo integra varios componentes de potencia principales dentro de un solo paquete para simplificar el diseño de alta potencia.
En el lado izquierdo del diagrama, pines 1, 2 y 3 representar el Líneas de entrada de CA (U, V, W), que están conectados a un rectificador trifásico de diodo de diodo de onda.Esta sección convierte la potencia de CA en DC dirigiendo la corriente a través de seis diodos dispuestos en una configuración de puente.La salida del rectificador se presenta en Pins 21 (DC positivo) y 23 (DC negativo), mientras Pin 22 es el bus de CC intermedio.La parte central del diagrama ilustra Tres piernas de inversor IGBT de medio puente.Cada pierna contiene un interruptor IGBT con un diodo antiparalelo.Estos están conectados de la siguiente manera:
- IGBTS 13–14 y 20–19 Forma los interruptores superior e inferior de la fase U (salida en el pin 7).
- IGBTS 12–11 y 18-17 Formulario de fase V (salida en el pin 4).
- IGBTS 15–6 y 16–5 Formulario de fase W (salida en el pin 5).
Cada par permite la conmutación controlada de la alimentación de CC para crear una salida de CA trifásica para el control del motor o las aplicaciones de los inversores. Pins 8 y 9 están conectados a un Termistor NTC, que proporciona detección de temperatura para la protección térmica y el monitoreo.Esto ayuda a mantener un funcionamiento seguro del módulo bajo una carga variable y condiciones térmicas.
El esquema de embalaje para el módulo IGBT BSM75GP60 proporciona las especificaciones físicas y mecánicas necesarias para el montaje e integración adecuados en un sistema electrónica de potencia.El esquema muestra una carcasa compacta y rectangular con un espacio preciso de pin y dimensiones, asegurando la compatibilidad con disipadores térmicos estándar y PCB.
El módulo mide aproximadamente 122 mm de longitud, 62 mm de ancho, y 20,5 mm de altura, haciéndolo adecuado para aplicaciones de mediana a alta potencia donde la eficiencia del espacio es necesaria.El diagrama destaca Detalles del diseño del pin, con grupos PIN claramente dispuestos y etiquetados para que coincidan con la configuración del circuito interno.La posición y el espaciado de cada pin son básicos para soldadura precisa y conectividad eléctrica.
Agujeros de montaje en las esquinas, cada uno con un diámetro de 5.5 mm , se proporcionan para sujetar de forma segura el módulo a un disipador térmico o placa base.Estos aseguran un buen contacto térmico y estabilidad mecánica.La vista lateral indica un superficie plana de la placa de base Para una transferencia de calor eficiente, con la altura y el desplazamiento de los pasadores diseñados para alinearse fácilmente con el hardware de montaje estándar.
EUPEC era una compañía especializada en soluciones de semiconductores de alta potencia, incluidos módulos IGBT avanzados, tiristores y diodos para aplicaciones de electrónica industrial y de energía.Fundada en 1990 como EUPEC GMBH en Warstein, Alemania, se convirtió en una subsidiaria de propiedad total de Siemens en 1995. En 1999, Siemens salió de sus operaciones semiconductores, incluidas EUPEC, en las tecnologías infinales recién formadas.Los productos de EUPEC han sido requeridos en industrias como energía renovable, automatización industrial, transporte y conversión de energía.Hoy, su legado continúa bajo Infineon, contribuyendo a una amplia cartera de tecnologías de semiconductores.
Explorar el módulo IGBT BSM75GP60 muestra que es un reproductor importante en electrónica de potencia, perfecto para conducir motores y administrar la potencia en los sistemas.Su fuerte rendimiento y confiabilidad lo convierten en la mejor opción para aquellos que necesitan electrónica robusta.El BSM75GP60 es ideal para actualizar sistemas antiguos o construir otros nuevos, ofreciendo un rendimiento y eficiencia de alta calidad.
2025-04-02
2025-04-01
El diodo integrado protege el IGBT de los voltajes inversos y permite el manejo seguro de corrientes inversas, especialmente en cargas inductivas.
El módulo está diseñado con un diseño térmico eficiente que mejora la disipación de calor, ayudando a mantener el rendimiento incluso bajo cargas pesadas.
Sí, es ideal para su uso en fuentes de alimentación ininterrumpidos, donde ayuda a mantener la potencia continua durante las interrupciones.
Está empaquetado en un tipo Econopim 3, que ayuda en la utilización efectiva del espacio y la disipación de calor.
Su robusto diseño y capacidades de gestión térmica lo hacen resistente a las duras condiciones industriales y el estrés eléctrico.
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