Modelo de Producto

CY7C1021BN-15ZXC

Introducción

Chip de memoria SRAM de alta velocidad de 1Mbit

Marca y Fabricante

Infineon Technologies

Características

SRAM asíncrono; Almacenamiento de alta densidad de 1Mbit; Interfaz de memoria paralela; Tiempos de acceso y ciclo de escritura rápidos

Rendimiento del Producto

Tiempo de acceso de 15ns; Tiempo de ciclo de escritura de 15ns; Rendimiento robusto de lectura/escritura

Especificaciones Técnicas

Tipo de memoria: SRAM volátil; Formato de memoria: SRAM - Asíncrono; Tamaño de memoria: 1Mbit; Organización de memoria: 64K x 16

Dimensiones, Forma y Empaque

Montaje en superficie; Paquete 44-TSOP II (0.400", 10.16mm de ancho)

Calidad y Fiabilidad

Rango de temperatura operacional de 0°C a 70°C

Ventajas del Producto

Tiempo de acceso rápido para aplicaciones de alta velocidad

Competitividad del Producto

Ofrece velocidades de escritura y acceso competitivas en su categoría

Compatibilidad

Compatible con sistemas de interfaz paralela

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con certificaciones estándar de la industria para componentes electrónicos

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para un funcionamiento confiable a largo plazo dentro de su rango de temperatura

Campos de Aplicación Real

Utilizado en sistemas embebidos, telecomunicaciones y aplicaciones de computación donde se requiere un acceso rápido a la memoria volátil.

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