Modelo de Producto

CY7C1021BNL-15ZXIT

Introducción

Chip de memoria SRAM de alta velocidad

Marca y Fabricante

Infineon Technologies

Características

Tecnología SRAM asincrónica, interfaz de memoria paralela, ciclo de escritura de alta velocidad y acceso

Rendimiento del Producto

Tiempo de acceso rápido de 15 ns, tiempo de ciclo de escritura también de 15 ns, rendimiento estable en una gama de voltajes

Especificaciones Técnicas

Tamaño de memoria de 1 Mbit, memoria organizada como 64K x 16, voltaje de suministro de 4.5V a 5.5V

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete de montaje en superficie 44-TSOP, dimensiones que cumplen con los estándares TSOP II

Calidad y Fiabilidad

Diseñado para rangos de temperatura exigentes de -40 °C a 85 °C

Ventajas del Producto

Optimizado para aplicaciones de alta velocidad, duradero y confiable en diversas temperaturas

Competitividad del Producto

Ofrece ciclos de acceso y escritura rápidos entre los chips SRAM

Compatibilidad

Compatible con sistemas que requieren SRAM paralela

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con los estándares de la industria para componentes electrónicos

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para una confiabilidad a largo plazo, contribuyendo a la sostenibilidad del producto

Campos de Aplicación Real

Usado en computación de alta velocidad, telecomunicaciones y equipos de redes

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