| ISP12DP06NMXTSA1 | |
|---|---|
| Número de pieza | ISP12DP06NMXTSA1 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descripción | MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4 |
| cantidad disponible | 756 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | 1.ISP12DP06NMXTSA1.pdf2.ISP12DP06NMXTSA1.pdf3.ISP12DP06NMXTSA1.pdf4.ISP12DP06NMXTSA1.pdf |
| ISP12DP06NMXTSA1 Price |
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| Información técnica de ISP12DP06NMXTSA1 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | ISP12DP06NMXTSA1 | Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descripción | MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4 |
| Paquete / caja | PG-SOT223-4 | cantidad disponible | 756 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 520µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PG-SOT223-4 |
| Serie | OptiMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 125mOhm @ 2.8A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) | Paquete / Cubierta | TO-261-4, TO-261AA |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 30 V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 20.2 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Ta) |
| Número de producto base | ISP12DP06 |
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| ISP12DP06NMXTSA1 Acciones | Precio ISP12DP06NMXTSA1 | ISP12DP06NMXTSA1 Electrónica | |||
| Componentes ISP12DP06NMXTSA1 | Inventario ISP12DP06NMXTSA1 | ISP12DP06NMXTSA1 Digikey | |||
| Proveedor ISP12DP06NMXTSA1 | Orden ISP12DP06NMXTSA1 en línea | Consulta ISP12DP06NMXTSA1 | |||
| Imagen ISP12DP06NMXTSA1 | ISP12DP06NMXTSA1 Picture | ISP12DP06NMXTSA1 PDF | |||
| Hoja de datos ISP12DP06NMXTSA1 | Descargar la hoja de datos de ISP12DP06NMXTSA1 | Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
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