| ISP13DP06NMSATMA1 | |
|---|---|
| Número de pieza | ISP13DP06NMSATMA1 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descripción | MOSFET P-CH 60V SOT223 |
| cantidad disponible | Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | 1.ISP13DP06NMSATMA1.pdf2.ISP13DP06NMSATMA1.pdf3.ISP13DP06NMSATMA1.pdf |
| ISP13DP06NMSATMA1 Price |
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| Información técnica de ISP13DP06NMSATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | ISP13DP06NMSATMA1 | Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descripción | MOSFET P-CH 60V SOT223 |
| Paquete / caja | PG-SOT223 | cantidad disponible | Available Stock |
| VGS (th) (Max) @Id | - | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PG-SOT223 |
| Serie | OptiMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | - |
| La disipación de energía (máximo) | - | Paquete / Cubierta | TO-261-4, TO-261AA |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Ta) |
| Número de producto base | ISP13DP06 |
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| ISP13DP06NMSATMA1 Acciones | Precio ISP13DP06NMSATMA1 | ISP13DP06NMSATMA1 Electrónica | |||
| Componentes ISP13DP06NMSATMA1 | Inventario ISP13DP06NMSATMA1 | ISP13DP06NMSATMA1 Digikey | |||
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