BSM400C12P3G202
Número de pieza BSM400C12P3G202
Fabricante Rohm Semiconductor
Descripción SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
cantidad disponible 4 pcs in stock
Modelo ECAD
Hojas de datos
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Información técnica de BSM400C12P3G202
Número de pieza del fabricante BSM400C12P3G202 Categoría Productos semiconductores discretos
Fabricante LAPIS Technology Descripción SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Paquete / caja module cantidad disponible 4 pcs
VGS (th) (Max) @Id 5.6V @ 106.8mA Vgs (Max) +22V, -4V
Tecnología SiCFET (Silicon Carbide) Paquete del dispositivo Module
Serie - RDS (Max) @Id, Vgs -
La disipación de energía (máximo) 1570W (Tc) Paquete / Cubierta Module
Paquete Tray Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 17000 pF @ 10 V
Tipo FET N-Channel Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) - Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1200 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 400A (Tc) Número de producto base BSM400
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